近年来,GaN材料由于其所具有的优良光电性能,而成为固态照明、数字处理、光电器件、功率器件等半导体材料与器件领域的研究热点。目前大部分企业的GaN基LED通常是在蓝宝石和SiC衬底上,通过有机物化学气相沉积生长。对于这两种衬底而言,蓝宝石衬底更具有价格优势,同时具有成熟的生产工艺的优点。根据现有的工艺技术水平,已经成功的解决了芯片电流密度大、电压过高和散热难等问题,为制作大功率LED提供了技术基础。随着半导体技术的不断发展,人们对GaN基LED的欧姆接触性能要求越来越高,欧姆接触直接影响到器件的稳定性、寿命、效率等性能。研究GaN表面欧姆接触的实现对于降低金-半接触的电压损耗、提高器件工作稳定性、延长器件寿命都有很重要的应用价值。本文尝试在N型GaN上制备欧姆接触电极,利用传输线模型(TLM)的方法测试欧姆接触的比电阻率,探讨了比接触电阻率(specific contact resistivity)的测试方法和欧姆接触电极的制作工艺,获得的主要研究成果如下：1、在掺杂浓度为3×1018cm-3的N型GaN衬底上,选择Ti/Al/Ti/Au的多层金属结构作为欧姆接触电极；2、对线性传输线与圆形传输线这两种测试模型进行讨论,得知采用圆形传输线模型方法测试,能更加适合表征欧姆接触,其比接触电阻率的值为3.23×10-6Ω.cm2左右；3、通过改变合金的温度(600℃、700℃、800℃、900℃),研究温度对欧姆接触的影响。测量发现,800℃下比接触电阻率值最小；随着温度的升高,比接触电阻率有所下降。