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[期刊论文] 作者：屈媛,班士良,,
来源：内蒙古大学学报(自然科学版) 年份：2010
基于介电连续模型和Loudon单轴模型，采用转移矩阵法讨论纤锌矿AlN／GaN／InN／GaN／AlN量子阱的界面和局域光学声子模．结果表明在GaN阱区引入InN纳米凹槽使纤锌矿AIN／GaN／AlN量子阱的光学...
[期刊论文] 作者：介伟伟,杨春,,
来源：四川师范大学学报(自然科学版) 年份：2010
用基于密度泛函理论平面波超软赝势法对六方GaN空位型本征点缺陷进行了理论研究.计算了GaN、Ga0.875N,Ga0.750N,GaN0.875和GaN0.750等5种模型（Ga和N不同比例情况下的空位型...GaN...
[学位论文] 作者：杨铭,,
来源：南京理工大学 年份：2010
一直以来,GaN基半导体材料生长技术的不完善,极大制约了基于NEA GaN光电阴极的发展,然而随着近年来材料生长技术的突破,对NEA GaN光电阴极的研究成为了当前的热点。NEA GaN光...
[学位论文] 作者：胡毅庆,
来源：北京大学 年份：2010
宽禁带半导体GaN基电子器件在微波大功率方面具有极其优异的性能,近年来成为国内外的研究热点。虽然近年来GaN基电子器件的研究取得了快速发展,但在该研究领域依然存在诸多基...
[期刊论文] 作者：张志国,秘瑕,王民娟,李静强,宋建博,崔玉兴,冯志红,付兴昌,蔡树军,,
来源：半导体技术 年份：2010
使用国产SiC衬底的GaN HEMT外延材料实现了大功率、高效率的GaN HEMT器件,建立了大信号模型,利用ADS软件建立了GaN MMIC的拓扑,仿真了驱动比对电路性能的影响。仿真结果表明,...
[期刊论文] 作者：王会智,闫锐,刘波,冯志红,何庆国,蔡树军,,
来源：半导体技术 年份：2010
基于GaN HEMT器件在微波功率方面的优越性能,设计并实现了宽带GaN单片功率放大器。简述了AlGaN/GaN异质结构的优势以及现状,同时结合热分析的方法给出了所选GaNHEMT器件的基...
[期刊论文] 作者：方建洪,倪峰,冯皓,,
来源：火控雷达技术 年份：2010
氮化镓(GaN)作为新一代半导体材料,具有高功率容量和高热容性等特点,所以GaN微波功率器件成为近几年研究的热点。随着GaN功放管的功率不断提高,以氮化镓(GaN)为基础的微波功...
[期刊论文] 作者：,
来源：中国物理快报(英文版) 年份：2010
The complex refractive indices and the dielectric function of GaN for frequencies ranging from 0.25 to...
[学位论文] 作者：卫静婷,
来源：中山大学 年份：2010
GaN基材料及器件近年来逐渐成为人们的研究热点，尤其是GaN基LED。由于大尺寸GaN基体材料难以制备，因此GaN材料只能通过异质外延来获得。目前，商业化的GaN基LED所采用外延层衬底...
[学位论文] 作者：马腾,,
来源：西安电子科技大学 年份：2010
在硅(Si)和砷化镓(GaAs)之后,氮化镓(GaN)以其禁带宽、击穿电压高、电子饱和速率高、稳定性和导热性好等优良特性,被人们称为第三代半导体。GaN材料的这些特性使得AlGaN/GaN...
[学位论文] 作者：杜江锋,,
来源：电子科技大学 年份：2010
具有高温、高频和大输出功率能力的宽禁带AlGaN/GaN HEMT器件已成为国内外研究的热点课题。由于异质外延生长的AlGaN/GaN HEMT材料存在晶格和热失配问题,特别是GaN基异质结器...
[学位论文] 作者：杜江锋,
来源：电子科技大学 年份：2010
具有高温、高频和大输出功率能力的宽禁带AlGaN/GaN HEMT器件已成为国内外研究的热点课题。由于异质外延生长的AlGaN/GaN HEMT材料存在晶格和热失配问题，特别是GaN基异质结器...
[学位论文] 作者：王中旭,,
来源： 年份：2010
本文从GaN基大栅宽HEMT器件的生产制造和GaN基耿氏二极管的结构设计和关键工艺等方面进行了详细的研究。一方面对GaN/AlGaN异质结大栅宽HEMT的结构进行了制造,并且根据理论的...
[期刊论文] 作者：张波,陈静,魏星,武爱民,薛忠营,罗杰馨,王曦,张苗,,
来源：功能材料 年份：2010
采用MOCVD系统,在图形化的绝缘体上硅（SOI：silicon-on-insulator）衬底上侧向外延生长了GaN薄膜。利用SEM、TEM和Raman光谱对生长的GaN薄膜的质量进行了分析研究。...研究发现,在GaN...
[期刊论文] 作者：邹翔,,
来源：科技资讯 年份：2010
本文章系统的阐述了GaN/GaNHEMT的材料研究进展,比较国内外的最新科研成果,以蓝宝石为衬底的器件的研制为例进行分析,得出测量结果及器件特殊性能。...
[学位论文] 作者：熊贻婧,,
来源：南昌大学 年份：2010
电镀金属基板的最显著优势是提高GaN LED的散热性能和光电特性,尤其是大功率GaN LED。目前,将蓝宝石、SiC衬底GaN薄膜转移至电镀基板的技术已经得到了广泛的研究。然而据我们...
[学位论文] 作者：陈睿姝,,
来源：大连理工大学 年份：2010
GaN基材料主要包括二元的AlN、InN, GaN,三元的AlGaN、InGaN和四元的InGaAIN等。通过调节其合金组份,可以获得从0.7eV到6.2 eV的连续可调带隙。...故GaN及其相关的三族氮化物材...
[期刊论文] 作者：张嵩,杨瑞霞,徐永宽,李强,,
来源：微纳电子技术 年份：2010
在自制的立式氢化物气相外延(HVPE)系统炉中,一定温度下通入一定流量的NH3使GaAs(111)衬底氮化一层GaN薄膜,以防止高温外延生长GaN时GaAs分解,进而提高了之后GaN外延生长的晶...
[期刊论文] 作者：LIU Weibin,ZHOU Hualei,FANG Ch,
来源：稀有金属：英文版 年份：2010
High crystalline quality wurtzite-GaN nanoparticles, with diameters of about 11 nm, well dispersed in...
[期刊论文] 作者：Hadi Arabshahi,A.Binesh,,
来源：Journal of Electronic Science and Technology 年份：2010
Trapping of hot electron behavior by trap centres located in buffer layer of a wurtzite phase GaN MESFET...
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