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基于介电连续模型和Loudon单轴模型，采用转移矩阵法讨论纤锌矿AlN／GaN／InN／GaN／AlN量子阱的界面和局域光学声子模．结果表明在GaN阱区引入InN纳米凹槽使纤锌矿AIN／GaN／AlN量子阱的光学声子发生较大变化．对给定波矢，在不同的频率范围内，存在两种界面光学声子模和两种局域光学声子模．声子色散关系和静电势分布表现出较AlN／GaN／AlN单量子阱更为复杂的形态。