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[期刊论文] 作者：周劲,张国义,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2002
The double heterostructure GaN/InGaN/GaN films with different thicknesses of the InGaN layer were grownat...
[期刊论文] 作者：CHENChang－Chun,WUMing－Fang,等,
来源：核技术：英文版 年份：2002
GaN film grown on Si substrate was characterized by Rutherford backscattering /Channeling(RBS/C).The...experimental results show that the thickness of GaN epilaye...
[期刊论文] 作者：张万生,赵彦军,
来源：第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2002
本文将结合我们的工作体会,主要对以蓝宝石为衬底的GaN固体光源的进展情况加以综述和介绍,并展望了GaN固体光源的应用前景....
[期刊论文] 作者：沈晓明,张秀兰,等,
来源：半导体学报 年份：2002
研究了用金属有机物气相外延（MOVPE）方法在GaAs(001)衬底上生长的立方相GaN(c-GaN)外延层的光辅助湿法腐蚀特性，并和生长在蓝宝石（0001）衬底上的六方相GaN(h-GaN)外延层的光辅助湿...
[期刊论文] 作者：万凌云,莫春兰,彭学新,熊传兵,王立,江风益,
来源：发光学报 年份：2002
采用MOCVD技术在Al2O3(0001)衬底上生长了GaN薄膜,使用透射光谱、光致发光光谱和X射线双晶衍射三种技术测试了五类GaN薄膜样品.实验结果表明:GaN薄膜透射谱反映出的GaN质量与...
[期刊论文] 作者：谢长坤,徐法强,邓锐,徐彭寿,刘凤琴,K.Yibulaxin,
来源：物理学报 年份：2002
报道了纤锌矿WZ(wurtzite) GaN(0001)表面的电子结构研究.采用全势线性缀加平面波方法计算得到了GaN分波态密度,与以前实验结果一致.讨论了Ga3d对GaN电子结构的影响.利用同步...
[期刊论文] 作者：付羿,孙元平,等,
来源：半导体学报 年份：2002
利用MOCVD技术在提高生长温度（900℃）下生长出了高质量的立方相GaN，生长速率提高到1.6um/h。...高温生长的GaN样品近带边峰室温光荧光半高宽为48meV，小于在830℃下生长的GaN样品，在w...
[期刊论文] 作者：胡桂青,孔翔,王乙潜,万里,段晓峰,陆沅,刘祥林,
来源：电子显微学报 年份：2002
利用衍衬、SAED、HRTEM对在(111)Si上外延生长的六方GaN进行了观察分析.GaN外延层与缓冲层和基底的取向关系为(0001)GaN//(0001)AlN//(111)Si,[1 1 2 0]...GaN//[1 1 2 0]AlN//[...
[期刊论文] 作者：孔翔,胡桂青,段晓峰,
来源：电子显微学报 年份：2002
GaN材料可以发蓝光,具有非常重要的实际应用价值.GaN的结构分析中,确定各种畴的极性是非常重要的.在过去的研究中,对于GaN这类非中心对称极性晶体,主要利用会聚束电子衍射的...
[期刊论文] 作者：毕朝霞,张荣,等,
来源：半导体学报 年份：2002
以铁电体Pb(Zr0.53Ti0.47）取代传统绝缘栅氧化物制备了GaN基金属-半导体（MIS）结构。...由于铁电体具有较强的极化电场和高介电常数，GaN基金属-铁电体-半导体（MFS）结构的电容-电压特性...
[学位论文] 作者：赵智彪,,
来源：中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） 年份：2002
本文研究了GaN和AlGaN/GaN材料的射频等离子体分子束外延生长及其特性，并对相关器件工艺中的若干重要问题如刻蚀、欧姆接触等，进行了初步探索。在前人工作的基础上，进一步优化了...
[学位论文] 作者：李晖,
来源：中国科学院物理研究所 年份：2002
利用电子显微镜,系统地对GaN纳米线和GaN纳米颗粒等低维材料形貌和显微结构进行了系统的观察和研究.并对六方纳米GaN颗粒中观察到的一种调制周期为12a×12b的调制结构进行了...
[期刊论文] 作者：杨莺歌,马洪磊,郝晓涛,马瑾,薛成山,庄惠照,
来源：中国科学(A辑) 年份：2002
用溅射后退火反应法在Si(111)衬底上制备的高质量GaN薄膜.XRD,XPS,SEM和PL测量结果表明该方法制备的GaN是六角纤锌矿结构的多晶.GaN的最大晶粒尺寸约为100 nm.在354 nm处发现...
[期刊论文] 作者：冯淦,郑新和,王玉田,杨辉,梁骏吾,郑文莉,贾全杰,
来源：核技术 年份：2002
采用同步辐射X光衍射技术研究了α-Al2O3(0001)衬底上横向外延GaN的结构特征.发现横向生长区的GaN(0001)晶面与窗口区的GaN(0001)晶面在垂直掩模方向上存在取向差.ω/2θ联动...
[期刊论文] 作者：刘伟民,朱荣毅,钱土雄,袁述,张国义,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2002
We study the pulsed laser ablation of wurtzite gallium nitride (GaN) films grown on sapphire, using the...
[期刊论文] 作者：刘宝林,
来源：半导体光电 年份：2002
GaN在(0001)方向是一种极性极强的半导体材料,它具有极强的表面特征,是目前发现的最好的压电材料,而GaN的极性呈现出体材料的特征,它的测量要用一些特殊的方法,它的不同特征...
[期刊论文] 作者：郝跃,张金凤,
来源：微纳电子技术 年份：2002
GaN是一种宽禁带半导体材料，由于具有优越的热稳定性和化学稳定性，使这种材料和与其相关的器件可以工作在高温和恶劣的环境中，并可用于大功率微波器件。本文主要介绍AlGaN/GaN有...
[期刊论文] 作者：何光喜,洪荣华,等,
来源：水利渔业 年份：2002
1999－2000年，通过专捕、兼捕，共捕Gan92986．5kg，平均规格10．29kg/尾，Gan种群数量得到了控制。渔具材料要求严格，在生殖洄游通道捕捞效果最好。...
[学位论文] 作者：周生强,
来源：北京大学 年份：2002
GaN基的新型光电材料是短波长发光器件的最佳选择,已经在高亮度发光二极管（LED）、蓝光和紫外注入式激光二极管（LD）等领域广泛应用,但是对于GaN基材料的物理性质却研究得很不充分....
[学位论文] 作者：杨志坚,
来源：北京大学 年份：2002
该论文在P型GaN,InGaN/GaN多量子阱研究及计算,InGaN/GaN多量子阱LED;白光LED方面开展了一系列研究工作.1.针对P型氧化物材料获得的困难,研究了Mg掺杂GaN的激活机制.优化并提...
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