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利用MOCVD技术在提高生长温度（900℃）下生长出了高质量的立方相GaN，生长速率提高到1.6um/h。高温生长的GaN样品近带边峰室温光荧光半高宽为48meV，小于在830℃下生长的GaN样品，在w扫描模式下，X射栈衍射表明高温生长的GaN具有较小的（002）峰半高宽21'，可以看出，尽管立方GaN是亚稳态，高生长温度仍然有利于其晶体质量的提高。本文对GaN生长中生长温度和生长速度之间的关系作了讨论。