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[期刊论文] 作者：曾祥斌,徐重阳,饶瑞,JOHNNY K O Sin,
来源：无机材料学报 年份：2001
采用NH3和N2O的等离子体分别对p-Si(多晶硅)薄膜表面进行了钝化处理,处理后的p-Si TFT(薄膜晶体管)具有比未处理TFT更优越的性能,通电试验与热应力试验后,处理后的器件呈现出...
[期刊论文] 作者：曾祥斌,Johnny K O Sin,徐重阳,饶瑞,
来源：无机材料学报 年份：2001
采用ＮＨ３和Ｎ２Ｏ的等离子体分别对ｐ－Ｓｉ（多晶硅）薄膜表面进行了钝化处理，处理后的 ｐ－Ｓｉ ＴＦＴ（薄膜晶体管）具有比未处理 ＴＦＴ更优越的性能，通电试验与热应力试验后，处理后的器件呈现出更好的承受电负荷和热应力......
[期刊论文] 作者：曾祥斌, Johnny K O Sin, 徐重阳, 饶瑞, 刘世,
来源：压电与声光 年份：2001
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[期刊论文] 作者：曾祥斌,Johnny K O Sin,徐重阳,饶瑞,刘世建,
来源：压电与声光 年份：2001
采用 N2 O和 NH3等离子钝化技术对多晶硅薄膜表面和栅氧表面进行了钝化处理。实验结果表明 ,该技术能够有效降低多晶硅薄膜的界面态密度 ,提高多晶硅薄膜晶体管性能。二次离...
[期刊论文] 作者：曾祥斌,JOHNNY K O Sin,徐重阳,饶瑞,刘世建,
来源：压电与声光 年份：2001
采用N2O和NH3等离子钝化技术对多晶硅薄膜表面和栅氧表面进行了钝化处理。实验结果表明，该技术能够有效降低多晶硅薄膜的界面态密度，提高多晶硅薄膜晶体管性能。二次离子质谱仪......
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