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[学位论文] 作者：马剑钢,,
来源：东北师范大学 年份：2004
氧化锌(ZnO)是一种具有六方结构的的宽禁带Ⅱ-Ⅳ族半导体材料，室温下能带带隙Eg为3.37eV。由于氧化锌在室温条件下具有较高的激子束缚能(60meV)，保证了其在室温下较强的激子发...
[学位论文] 作者：马剑钢,
来源：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 年份：2004
氧化锌(ZnO)是一种重要的宽禁带半导体材料,室温下的带隙宽度为3.37eV,激子束缚能高达60 meV.自1997年首次在ZnO多晶薄膜上实现了室温光泵浦紫外激光以来,有关ZnO材料的研究...
[学位论文] 作者：马剑钢,
来源：吉林农业大学 年份：2017
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[学位论文] 作者：马剑钢,
来源：西北农林科技大学 年份：2021
携带tet（X）基因变体的质粒的流行,将对临床耐碳青霉烯类肠杆菌科细菌（Carbapenem-Resistant-Enterobacteriaceae,CRE）的治疗带来威胁,也给畜禽养殖治疗药物的选择加大了难度。tet（X3）和tet（X4）基因是近两年发现可通过质粒介导细菌对替加环素产生高水平耐药性,同时也可以......
[期刊论文] 作者：马剑钢, 林东,,
来源：物理实验 年份：2016
采用激光分子束外延方法,将高熔点的AlF3和ZnO混合后制成高质量靶材,制备出具有高电导率和热稳定性的氟、铝共掺氧化锌薄膜（AFZO）,并研究了AZO和AFZO的光电性质随退火条件的变...
[期刊论文] 作者：薛金玲, 马剑钢,,
来源：发光学报 年份：2017
利用化学气相沉积法（CVD）,在不同压强下分别得到β-Ga2O3纳米线（NWs）和纳米带（NBs）。研究结果表明,获得的NWs与NBs均为单斜结构的β-Ga2O3,且NWs结晶质量优于NBs。在阴极射线发光（CL...
[期刊论文] 作者：薛小丹,马剑钢,徐海阳,李鹏,,
来源：中国科技论文 年份：2017
针对氧化铟掺锡（ITO）透明导电加热膜存在的抗弯折能力差、升温速率慢、稳态温度低等问题,提出了1种结合龟裂模板和电镀工艺构筑柔性ITO/Au网格复合透明加热膜的方法。通过扫描...
[会议论文] 作者：薛金玲,马剑钢,韩曼舒,
来源：第六届全国掺杂纳米材料发光性质学术会议 年份：2016
近年来,低维纳米材料由于具有独特的物理性质,使其在很多领域都有广泛的应用,如紫外探测、光催化以及气敏传感器等.氧化镓(β-Ga2O3)是一种直接带隙半导体材料,禁带宽度4...
[会议论文] 作者：李鹏,马剑钢,徐海阳,刘益春,
来源：第六届全国掺杂纳米材料发光性质学术会议 年份：2016
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[会议论文] 作者：韩曼舒,张涔,马剑钢,徐海阳,
来源：第五届全国掺杂纳米发光性质学术会议 年份：2014
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[会议论文] 作者：杨柳,刘为振,张娟,马剑钢,徐海阳,
来源：第五届全国掺杂纳米发光性质学术会议 年份：2014
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[会议论文] 作者：韩曼舒,马剑钢,徐海阳,刘益春,
来源：中国物理学会2015年秋季会议 年份：2015
以Bi2Se3和Bi2Te3为代表的拓扑绝缘体材料具有许多新奇的物理和化学性质，在光电、超导和自旋电子学等方面有着重要的应用.1然而，如何获得电学性质可控，晶体质量高，尺寸大的二......
[会议论文] 作者：王春亮,马剑钢,徐海阳,刘益春,
来源：第13届全国发光学学术会议 年份：2013
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[期刊论文] 作者：夏鹏,马剑钢,张昕彤,薛金玲,林东,,
来源：中国科技论文 年份：2016
为了降低溶胶凝胶法制备透明导电薄膜的热退火温度，将溶胶凝胶法与深紫外激光处理相结合，在石英玻璃衬底上制备了非晶铟锌氧（InZnO、IZO）透明导电薄膜。通过x射线衍射、紫外-可见......
[会议论文] 作者：马剑钢,徐海阳,王雷,张岑,李兴华,刘益春,
来源：第13届全国发光学学术会议 年份：2013
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[会议论文] 作者：杨柳,刘为振,徐海阳,张涔,马剑钢,刘益春,
来源：第十四届全国发光学学术会议 年份：2016
ZnO 是一种宽禁带(3.37 eV)半导体材料，室温下具有高达60 meV 的激子束缚能，以及良好的光学增益，这些优势使得ZnO 成为构建低阈值高效率紫外发光器件的理想材料.目前，高质量稳定的p 型ZnO 仍然较难获得，构筑ZnO 基异质结器件成为研究的热点.......
[期刊论文] 作者：郑文斌,吴耀东,马剑钢,朱兴全,周东辉,,
来源：中国寄生虫学与寄生虫病杂志 年份：2015
重组酶聚合酶扩增技术（RPA）是以T4噬菌体体内核酸复制机制为原理，以多种蛋白及酶参与的一种新型核酸等温扩增技术，可在37--42qC条件下，20min内将核酸扩增至可检测水平。具有较高的......
[会议论文] 作者：刘凯,徐海阳,刘为振,张涔,马剑钢,刘益春,
来源：第十四届全国发光学学术会议 年份：2016
宽禁带(3.37eV)半导体材料氧化锌由于其高的激子束缚能(60meV)，而使其成为制备蓝紫光及紫外发光二极管/激光二极管的理想候选材料.而ZnO 量子点由于其量子限域效应使其带隙进一步展宽，发光蓝移，更有利于制备氧化锌基蓝紫/紫外光发射器件.......
[期刊论文] 作者：朱菲菲,杨柳,刘凯,刘为振,张涔,徐海阳,马剑钢,,
来源：发光学报 年份：2017
利用湿化学方法制备合成Zn O量子点,通过改变合成条件（反应时间、反应物浓度、反应温度）对量子点的尺寸及发光性能进行调控。利用透射电子显微镜、吸收光谱、荧光光谱等表征手......
[期刊论文] 作者：王萌,雷辉,姜舟,孙理理,马剑钢,贺晨,李俊峰,
来源：表面技术 年份：2020
目的以ZnO/SiO2复合粉体为填料,开展新型热控涂层制备方法研究,提高传统白色热控涂层的紫外反射率,研制出具有太阳全光谱高反射性能的热控涂层。方法以硫酸锌和硅酸钠为原料,...
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