论文部分内容阅读
MgZnO/MgO多量子阱纳米棒的深紫外光发射研究
【机 构】
：
东北师范大学紫外光发射材料与器件教育部重点实验室,吉林省 长春市 130024
【出 处】
：
第13届全国发光学学术会议
【发表日期】
：
2013年12期
其他文献
通过磁控溅射镀膜的方法在硅衬底分别沉积ZnO种子层和不锈钢薄膜，并通过刀片划开形成微米级沟道，通过水热生长的方法在沟道中生长ZnO纳米棒阵列，成功制备出生长在氧化锌种子层的侧面，与硅衬底平行的ZnO纳米棒阵列。并且这种方法不受衬底材料的影响，可以使用任何其他材料。这种结构和制备方法为纳米器件的构建开辟了新的方法，具有非常重要的应用价值。
近年来,利用金属纳米颗粒表面等离激元效应增强半导体材料发光效率的研究受到人们广泛关注。本工作利用化学气相沉积法,以氧化锌和碳粉(mol 1∶1)为原料,在1150℃高温下生长制备了ZnO纳米棒阵列。以氯金酸为前驱体,通过水热合成的方法,在ZnO纳米棒阵列衬底上修饰Au纳米颗粒。根据Au纳米颗粒的局域表面等离激元共振峰位置,选择520 nm飞秒激光作为激发光源,对比研究了ZnO纳米棒(样品1)以及A
会议
我们已通过配体连接的方法合成有Au纳米颗粒修饰的ZnO量子点复合粒子结构。实验分为以下三步骤进行：首先,利用溶胶凝胶法合成3-5nm左右的ZnO量子点,尺寸较为单一且分散性好；其次,利用硼氢化钠作为还原剂制备Au纳米颗粒,尺寸在2-8nm不等；最后,通过配体连接的方法将以合成的ZnO量子点和Au纳米颗粒结合起来形成复合体系。为了对其复合体系的光学性能进行检测,我们通过PL谱,UV-vis吸收光谱,
会议