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[期刊论文] 作者：陆忠乾,
来源：硅酸盐学报 年份：1998
以六甲基二硅氨烷（ＨＭＤＳ）为原料，采用ＣＶＤ方法，在不同温度下合成的粉体，经ＸＲＤ测定，确定为无定型．经不同温度晶化处理后，发现１０００℃时合成粉体随着晶化温度的提高，颗粒长大并变长，接近哑铃状．经１５００℃晶化处理......
[期刊论文] 作者：陆忠乾,江东亮,
来源：无机材料学报 年份：1997
用等离子冷放电化学气相法（ＰＣＶＤ）合成的高纯、超细的无定形Ｓｉ３Ｎ４粉末，领教旷了不同时间和在红外灯下烘烤短时间后，进行红外光谱的测定，发现合成的粉末测量暴露于空气中就产生了氧化，而后随着......
[期刊论文] 作者：江东亮,陆忠乾,
来源：无机材料学报 年份：1997
以六甲基二硅胺烷作原料，用ＣＶＤ法合成的纳米粉体，在１０００－１５００℃温度范围内合成的均属无定形，１０００℃合成的纳米颗粒呈圆球形，粒径８－１０ｎｍ，少量２５－３０ｎｍ，在１４００℃高温下合成的颗粒较均匀，为８－１０ｎｍ的圆球形，经高温晶化处理后，低温时......
[期刊论文] 作者：谭寿洪,陆忠乾,
来源：无机材料学报 年份：1996
利用等离子辉光放电化学气相沉积技术（ＰＣＶＤ），控制甲烷与磋烷质量流量比、硅烷与氨质量流量比，在碳化硅基体表面分别沉积上无定形碳化硅和氨化硅薄膜，研究其膜的组成、沉积工艺、厚度等......
[会议论文] 作者：陆忠乾;江东亮;谭寿洪;,
来源：第四届全国工程陶瓷学术年会 年份：1999
以六甲基二硅氨烷和高纯氢气为原料，在1400℃温度条件下，通化化学气相沉积法（CVD），制备出了粒度为8nm～10nm的无定型粉体。经过1500℃晶化处理后，出现以β-SiC相为主体，有弱α-SiC相的......
[期刊论文] 作者：钟伯强,朱文娟,陆忠乾,
来源：无机材料学报 年份：1991
用努普(Knoop)压痕法测量了沉积在普通玻璃上的 ITO,SnO_2和非晶硅薄膜的硬度。在0.245N 负荷下测得它们的硬度分别是7232、7987和4929MPa。这些薄膜材料的硬度取决于薄膜制...
[期刊论文] 作者：陆忠乾,江东亮,谭寿洪,
来源：无机材料学报 年份：1997
用等离子冷放电化学气相法（PCVD）合成的高纯、超细的无定形Si3N4粉末，储放了不同时间和在红外灯下烘烤短时间后，进行红外光谱的测定．发现合成的粉末刚暴露于空气中就产生了氧化，而......
[期刊论文] 作者：叶雅谷,陆忠乾,吴宗焱,
来源：太阳能学报 年份：1980
本文报道了通过电导和光电导的测量,了解用硅烷辉光放电工艺制备非晶态硅薄膜(简称GD-aSiHx)的基本特性。试验结果指出,我们制备的GD-aSiHx本征薄膜具有显著的光电导效应,光...
[期刊论文] 作者：陆忠乾,江东亮,谭寿洪,严东生,,
来源：城市道桥与防洪 年份：1998
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：江东亮,陆忠乾,黄政仁,严东生,
来源：无机材料学报 年份：2004
以六甲基二硅胺烷作原料，用CVD法合成的纳米粉体，在1000～1500℃温度范围内合成的均属无定形，1000℃合成的纳米颗粒呈圆球形，粒径8～10nm，少量25～30nm．在1400℃高温下合成的颗粒较均匀，为......
[期刊论文] 作者：梁博, 黄政仁, 江东亮, 谭寿洪, 陆忠乾,,
来源：无机材料学报 年份：1996
本工作采用二甲基二氯硅烷和氢气为原料，在１１００～１４００℃温度条件下，通过化学气相沉积制备出了高纯、低氧含量的纳米ＳｉＣ粉体·实验结果指出，在１１００～１３００℃；制备得到的粉体颗粒由无定型相和β－ＳｉＣ微晶组成；而在......
[期刊论文] 作者：叶雅谷,陆忠乾,逄蓉,俞志丰,程如光,,
来源：无机材料学报 年份：2004
本文报导对直流辉光放电沉积的非晶态硅氢合金的光致发光的测定结果。光致发光设备采用488nm氩离子激光器作为光源,试验在温度77°K下进行。试验结果表明沉积工艺过程中的衬...
[期刊论文] 作者：叶雅谷,陆忠乾,逢蓉,俞志丰,程如光,,
来源：贵金属 年份：1981
本文报道了对直流辉光放电沉积的非晶态硅氢合金的光致发光的测定结果.采用488nm氩离子激光器作为光源,试验温度在77K下进行.试验结果表明沉积过程中的衬底温度对光致发光有...
[期刊论文] 作者：刘渝珍,黄允兰,石万全,刘世祥,姚德成,张庶元,韩一琴,陆忠乾,谭寿洪,江东亮,
来源：发光学报 年份：1999
在４．６８ｅＶ的激光激发下，室温ＣＶＤ合成的纳米ＳｉＣ粉体，可发射４７５ｎｍ的蓝光，经６００～１１００℃在Ｎ２气氛下进行快速退火（ＲＴＡ）处理，其荧光强度随退火温度升高而增强，当Ｔ≥９００℃时，荧光强度下降，但发光峰位与退火温度无关．通过ＸＲＤ、ＩＲ、ＴＥＭ、ＸＰＳ等研......
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