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[期刊论文] 作者：魏永军,,
来源：党的建设 年份：2001
阎桂珍老师个头不太高,衣着朴素,精力充沛。据酒钢三中领导和教师们的介绍,她所带的班级每届毕业合格率都在98%以上,高考升学率一般在45%以上,最高为59.2%。她所任教班的高...
[期刊论文] 作者：李向珍,石素丹,郁红,周见阳,阎桂珍,
来源：河南预防医学杂志 年份：1994
郑州市中原区七年来医疗单位传染病漏报调查李向珍，石素丹，郁红，周见阳，阎桂珍材料与方法１．１调查对象：本辖区的各级医疗单位。１．２调查时限及选点方法：每一季度进行一次漏报调查，每次随机抽...
[期刊论文] 作者：阎桂珍,
来源：国外医学.呼吸系统分册 年份：1996
支气管粘液腺腺瘤(MGAB)是一种罕见的肿瘤,文献中仅报导过41例。MGAB易与支气管的其他良性病变及起源于支气管的低度恶性粘液表皮样癌相混淆,因此正确识别这一肿瘤具有重要...
[期刊论文] 作者：奚雪梅,张兴,倪卫华,阎桂珍,王阳元,
来源：电子学报 年份：2000
利用CMOS/SOI工艺在 4英寸SIMOX材料上成功制备出沟道长度为 1μm、器件性能良好的CMOS/SOI部分耗尽器件和电路 ,从单管的开关电流比看 ,电路可以实现较高速度性能的同时又可...
[期刊论文] 作者：张太平,阎桂珍,张大成,阮勇,陈正豪,邢怡铭,
来源：仪器仪表学报 年份：2004
小型PEM燃料电池电极有着比较复杂的细微结构,电极担负了收集电荷,传输燃料,催化剂载体和构架支撑的功能.介绍了一种新的带有燃料传输孔的硅片电极制造方法,并且在它的表面上...
[期刊论文] 作者：钱钢,张利春,阎桂珍,王咏梅,张大成,王阳元,
来源：半导体学报 年份：1994
本文报告了一种获得侧壁陡直的硅深槽新技术．实验中采用一种新材料──氮化锆（ＺｒＮ）作为反应离子刻蚀的掩模，所需掩模厚度约５００．采用氟基气体ＳＦ６作为刻蚀气体，并附加Ａｒ和Ｏ２，这样刻蚀过程中在槽的侧......
[会议论文] 作者：顾毓沁,张荣海,朱德忠,孙晓毅,阎桂珍,唐祯安,
来源：中国工程热物理学会传热传质学学术会议 年份：2000
微热板作为一种微型加热器在微传感器中有着极为重要的作用。安的温度分布和热特性直接影响微传感器的工作性能。该文针对研制中的气体传感器的微热板，用红外热成像技术进行热......
[会议论文] 作者：张太平,林兆军,阎桂珍,孙展照,张国义,武国英,
来源：第十届全国电子束、离子束、光子束学术年会 年份：1999
在ＭＢＥ和ＭＯＣＶＤ两种方法制备的ｎ－ＧａＮ材料上，通过热蒸发、离子束溅射和光快速退火等工艺，制作了Ａｕ－ＧａＮ肖特基结和Ｔｉ／Ａ１／Ｔｉ／Ａｕ－ＧａＮ欧姆接触，并在室温测定了肖特基结的Ｉ－Ｖ特性。分析表明。ＧａＮ材料的载流子浓度对肖特基结的特性......
[会议论文] 作者：张太平,林兆军,孙展照,张国义,武国英,阎桂珍,
来源：第十届全国电子束、离子束、光子束学术年会 年份：1999
在ＭＢＥ和ＭＯＣＶＤ两种方法制备的ｎ－ＧａＮ材料上，通过热蒸发、离子束溅射和光快速退火等工艺，制作了Ａｕ－ＧａＮ肖特基结和Ｔｉ／Ａ１／Ｔｉ／Ａｕ－ＧａＮ欧姆接触，并在室温测定了肖特基结的Ｉ－Ｖ特性。分析表明。ＧａＮ材料的载流子浓度对肖特基结的特性有很大的影响。......
[期刊论文] 作者：顾毓沁,张荣海,朱德忠,孙晓毅,阎桂珍,唐祯安,Philip,
来源：工程热物理学报 年份：2001
随着近代高新技术的发展，要求各种探测器微型化。微加工技术的进步，使得微器件制造有了可能，于是微传感器就应运而生了。微热板作为一种微型加热器在微传感器中有着极为重要的作......
[期刊论文] 作者：顾毓沁,张荣海,朱德忠,孙晓毅,阎桂珍,唐祯安,Philip,
来源：黑龙江科技信息 年份：2004
随着近代高新技术的发展，要求各种探测器微型化。微加工技术的进步，使得微器件制造有了可能，于是微传感器就应运而生了。微热板作为一种微型加热器在微传感器中有着极为重要的作......
[期刊论文] 作者：吴文刚,栗大超,袁勇,孙卫,阎桂珍,郝一龙,靳世久,
来源：微纳电子技术 年份：2003
应用基于表面硅、体硅微电子工艺的混合微加工技术研制了新型扭转微镜光学致动器,实现了致动器结构与具有光纤自固定、自对准功能的新型光纤定位保持结构的单片集成.新型扭转...
[期刊论文] 作者：张春凯,肖全章,蔡福祥,阎桂珍,赵景波,卢明俊,赵宝贵,
来源：中国公共卫生 年份：1995
采用整群抽样方法，对大庆市龙凤地区３０５３５人群作Ｇｒａｖｅｓ病患病调查，结果发现Ｇｒａｖｅｓ病例１０４人（男２１人，女８３人），患病率为３．４１‰，男性为１．１７‰，女性为６．６２‰，标准化患病率为３．４６‰，男性为０．８５‰，女性为７．１８‰，女性患病明显高于男性（Ｘ＾２＝６４．６６１６，Ｐ〈０．００５）。各年龄组......
[期刊论文] 作者：林兆军,张太平,武国英,王玮,阎桂珍,孙殿照,张建平,张国义,
来源：半导体学报 年份：2000
在 MBE和 MOCVD两种方法制备的 n- Ga N材料上制作了 Au- Ga N肖特基结 ,测定了肖特基结的室温 I- V特性 .分析表明 :Ga N材料的载流子浓度对肖特基结的特性有很大的影响Au...
[期刊论文] 作者：程玉华,魏丽琼,孙玉秀,阎桂珍,李映雪,武国英,王阳元,
来源：半导体学报 年份：1995
本文对ＳＩＭＯＸ／ＳＯＩ全耗尽Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ中单晶体管Ｌａｔｃｈ状态对器件性能的影响进行了实验研究．实验结果表明，短时间的Ｌａｔｃｈ条件下的电应力冲击便可使全耗尽器件特性产生明显蜕变．蜕变原因主要是Ｌａｔｃｈ期间大量热电子注入......
[期刊论文] 作者：魏丽琼,程玉华,孙玉秀,阎桂珍,李映雪,武国英,王阳元,
来源：微电子学与计算机 年份：1995
本文在详细分析各种不同条件下全耗尽ＭＯＳＦＥＴ单晶体管Ｌａｔｃｈ效应测试结果的基础上，较为详细地讨论了单晶体管Ｌａｔｃｈ效应的物理机理，发现单管Ｌａｔｃｈ效应与ＭＯＳＦＥＴ的寄生双极晶体管有着极其密切的关系，最后还给出了......
[期刊论文] 作者：魏丽琼,程玉华,孙玉秀,阎桂珍,李映雪,武国英,王阳元,
来源：半导体学报 年份：1995
本文报道了薄膜ＳＩＭＯＸ／ＳＯＩ材料上全耗尽ＭＯＳＦＥＴ的制备情况，并对不同硅膜厚度和不同背面栅压下的器件特性进行了分析和比较．实验结果表明，全耗尽器件完全消除了＂Ｋｉｎｋ＂效应，低场电子迁移率典型值为６２０ｃｍ２／Ｖ·ｓ，空穴迁......
[期刊论文] 作者：张太平，阎桂珍，张大成，阮勇，陈正豪，邢怡铭，ZhangTaiping，YanGuizhen，ZhangDacheng，RuanYong，PhilipC.H.Chan，I-MingHsing,
来源：仪器仪表学报 年份：2004
...
[期刊论文] 作者：张利春,倪学文,沈悌明,阎桂珍,张录,吉力久,冯初光,张蔷,
来源：北京大学学报(自然科学版) 年份：1985
本文报导了沟道长度为5μm的高速硅栅CMOS电路,门电路平均延迟时间为10nS,触发器最高工作频率为30—40MHz。文中给出了CAD模拟计算结果和工艺措施,对高速CMOS电路作了初步研...
[期刊论文] 作者：顾毓沁,张荣海,朱德忠,孙晓毅,阎桂珍,唐祯安,Philip C.H. Chan,Johnny K.O. Sin,I-Ming Shing,
来源：工程热物理学报 年份：2001
随着近代高新技术的发展，要求各种探测器微型化。微加工技术的进步，使得微器件制造有了可能，于是微传感器就应运而生了。微热板作为一种微型加热器在微传感器中有着极为重要的作......
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