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[学位论文] 作者：邓俊静,
来源：北京大学 年份：2011
GaN基LED已经被广泛用于交通信号显示、大屏幕显示、液晶背光源、景观装饰及通用照明等领域。在实现固态照明方面，大功率垂直结构LED是理想的照明光源。通过键合和激光剥离技...
[期刊论文] 作者：邓俊静,谭伟石,吴小山,,
来源：理化检验(物理分册) 年份：2008
介绍了石英晶片X射线自动分选仪的理论设计,详细讨论了测量原理、测量误差和探测器前端挡板设计等问题。结果表明,利用φ旋转法同时测量(0111)和(0223)晶面的衍射线,可以同时测出XX′倾角和AT切角,实现了对石英晶片的自动准确分选。......
[期刊论文] 作者：邓俊静,齐胜利,陈志忠,田朋飞,郝茂盛,张国义,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
采用了不同条件的等离子体(O2,Cl2)对p-GaN样品进行刻蚀,然后通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)、阴极荧光谱(CL)、光致发光光谱(PL)、电流-电压(I-V)等方法详细研究了等离子体刻蚀对p-GaN表面改性及接触的影响。研究发现：经O2等离子体刻蚀后,样品......
[期刊论文] 作者：齐胜利, 陈志忠, 潘尧波, 郝茂盛, 邓俊静, 田朋飞, 张国,
来源：半导体技术 年份：2008
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[期刊论文] 作者：齐胜利,陈志忠,潘尧波,郝茂盛,邓俊静,田朋飞,张国义,颜建,
来源：半导体技术 年份：2008
大功率InGaN/GaN多量子阱蓝光发光二极管在大注入电流下,载流子泄漏而引起的效率下降问题是目前限制大功率发光二极管光电特性及其应用的突出问题。本文通过在p型GaN和InGaN/...
[会议论文] 作者：邓俊静[1]齐胜利[1]陈志忠[1]田朋飞[1]郝茂盛[2]张国义[1],
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
采用了不同条件的等离子体(O2,Cl2)对p-GaN样品进行刻蚀,然后通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)、阴极荧光谱(CL)、光致发光光谱(PL)、电流-电压(I-V)等方法详...
[期刊论文] 作者：龙浩,方浩,齐胜利,桑丽雯,曹文彧,颜建,邓俊静,杨志坚,张国义,,
来源：Chinese Physics B 年份：2010
This paper reports that a dual-wavelength white light-emitting diode is fabricated by using a metal-organic chemical vapor deposition method. Through a 200-hour...
[会议论文] 作者：俞锋,张国义,陈志忠,王溯源,邓俊静,姜爽,李俊泽,于彤军,康香宁,秦志新,
来源：第十八届全国半导体物理学术会议 年份：2011
综述了GaN基垂直结构LED载流子局域效应对光强平面分布的影响，本文中VSLED采用Au-Au键合技术将LED外延片和Si片进行键合，之后用MALLO-5000微区激光剥离机剥离蓝宝石得到。...
[期刊论文] 作者：齐胜利,陈志忠,潘尧波,郝茂盛,邓俊静,田朋飞,张国义,颜建锋,朱广敏,陈诚,李士涛,,
来源：半导体技术 年份：2008
大功率InGaN/GaN多量子阱蓝光发光二极管在大注入电流下,载流子泄漏而引起的效率下降问题是目前限制大功率发光二极管光电特性及其应用的突出问题。本文通过在p型GaN和InGaN/...
[会议论文] 作者：齐胜利,陈诚,李士涛,陈志忠,潘尧波,郝茂盛,邓俊静,田朋飞,张国义,颜建锋,朱广敏,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
大功率InGaN/GaN多量子阱蓝光发光二极管在大注入电流下由于载流子泄露而引起的效率下降问题是目前限制大功率发光二极管光电特性及其应用的突出问题。本文通过在P型GaN和InGaN/GaN多量了阱(MOW)有源区之间插入P型AlGaN/GaN多量子势垒(MQB)电子阻挡层,利用多量......
[会议论文] 作者：齐胜利[1]陈诚[2]李士涛[2]陈志忠[1]潘尧波[3]郝茂盛[2]邓俊静[1]田朋飞[1]张国义[1]颜建锋[2]朱广敏[2],
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
大功率InGaN/GaN多量子阱蓝光发光二极管在大注入电流下由于载流子泄露而引起的效率下降问题是目前限制大功率发光二极管光电特性及其应用的突出问题。本文通过在P型GaN和InG...
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