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[期刊论文] 作者：裴国旭,,
来源：中国集成电路 年份：2008
电可擦除只读存储器（EEPROM）工艺可广泛运用于各种消费产品中，像微控制器、无线电话、数字信号处理器、无线通讯设备以及诸如专用芯片设计等诸多应用设备中。0．18μm EEPROM智能......
[期刊论文] 作者：裴国旭,,
来源：中国集成电路 年份：2008
电可擦除只读存储器(EEPROM)工艺可广泛运用于各种消费产品中,像微控制器、无线电话、数字信号处理器、无线通讯设备以及诸如专用芯片设计等诸多应用设备中.0.18μmEEPROM智...
[期刊论文] 作者：裴国旭, 杜晓明, 薛昭,,
来源：火力与指挥控制 年份：2017
针对装备保障指挥难以用高度程式化的数学模型进行描述的问题，构建了一种装备保障指挥Agent框架模型。介绍了Agent建模方法，分析了装备保障指挥的指挥流程，并根据装备保障指挥流......
[期刊论文] 作者：薛昭,杜晓明,裴国旭,,
来源：飞航导弹 年份：2017
阐述了军事训练评估的基本概念,总结研究了军事训练评估指标体系构建和评估方法选取的理论方法,归纳梳理了训练评估在军事领域的应用现状,展望了军事训练评估的发展动向,为相...
[期刊论文] 作者：薛昭,杜晓明,裴国旭,李彪,,
来源：价值工程 年份：2016
针对指挥信息系统模拟训练评估的特点,提出了评估的思路,阐述了评估的内涵、目标及内容,剖析了问题的层次结构,进而提出了指挥信息系统模拟训练评估的技术需求,为深入开展模...
[期刊论文] 作者：裴国旭,杜晓明,薛昭,潘鑫,,
来源：飞航导弹 年份：2017
多智能体系统(MAS)的研究始于20世纪90年代,经过多年研究和发展,MAS已经广泛应用于各个行业。在此系统中,多个实体可以相互作用,共同解决实际问题,比较适合军事仿真这种多员...
[期刊论文] 作者：贾柱良,杜明,兰韬,裴国旭,,
来源：电脑与电信 年份：2017
工艺进入65nm后,芯片集成度越来越高,器件的尺寸原来越小,加上走线宽度的减少,互连寄生效应越来越大,对SRAM的性能的影响也愈加显著。本文从全定制的设计流程出发,介绍了怎样...
[期刊论文] 作者：林家庆,邓玉良,裴国旭,邹黎,
来源：科学技术与工程 年份：2013
介绍0.18 μm SOI器件技术中SET（single event transient）的原理模型及设计加固方法；并结合工艺具体参数,利用TCAD仿真工具进行了模拟仿真.探讨SET在0.18 μm SOI器件技术中的微...
[期刊论文] 作者：邹黎,邓玉良,裴国旭,杜明,
来源：计算机测量与控制 年份：2013
反熔丝PROM存储器是高性能计算机系统核心存储器，具有非易失性、抗辐照能力强、高可靠性、体积小等特点；文章根据自主研制大容量反熔丝PROM存储器，对编程单元抗单粒子翻转进行机......
[期刊论文] 作者：杜晓明,卜昭锋,张建新,裴国旭,
来源：兵器装备工程学报 年份：2018
采用层次分析和模糊评判相结合的方法对IETM数字化教学性能进行评估,建立了评估指标体系,确定了各评价指标的权重,形成了模糊评判模型。通过综合评价,对系统的性能进行了定性...
[期刊论文] 作者：邱恒功,李洛宇,裴国旭,杜明,,
来源：科学技术与工程 年份：2013
为研究0.18μm SOI工艺集成电路单粒子入射时电荷累积的机理,分别对电容和NMOS进行了单粒子入射的仿真研究。仿真结果表明,单粒子入射时,MOS电容中的电荷累积主要由位移电流...
[期刊论文] 作者：裴国旭,杜晓明,卜昭峰,薛辉,
来源：现代防御技术 年份：2017
为解决维修保障仿真过程中动态生成拆卸序列的问题,基于装备外场可更换单元,采用模块化的思想,建立了层次化模块化的装备拆卸模型,并利用约束矩阵生成各层的拆卸序列,将各层...
[期刊论文] 作者：裴国旭,邓玉良,邱恒功,李晓辉,邹黎,,
来源：电子器件 年份：2014
为了研究0.13μm体硅工艺的抗总剂量效应加固,分别对两种结构的H形管的性能做了仿真研究。仿真结果表明,两种结构的H形管有基本相同的转移特性曲线,但有一种结构的H形管有较...
[期刊论文] 作者：裴国旭,邓玉良,樊利慧,李晓辉,彭锦军,,
来源：电子器件 年份：2014
从全芯片角度出发，采用多电源ESD架构和全芯片ESD设计，对整颗芯片提供全方位的ESD保护，介绍了基于0.18μm CMOS工艺设计的大容量PROM芯片的ESD设计技术。同时，通过对高压编程引脚...
[期刊论文] 作者：邱恒功,邓玉良,裴国旭,杜明,李晓辉,彭锦军,
来源：科技通报 年份：2013
研究了栅氧厚度对反熔丝PROM中存储单元性能的影响。通过改变仿真模型中栅氧层的厚度,研究了存储单元的击穿电阻等的性能的变化趋势。仿真结果表明,栅氧厚度减薄可有效提升存...
[会议论文] 作者：李晓辉,裴国旭,杜明,张轶强,李律,李萍,李炜,孙博文,胡镭,彭锦军,邓玉良,郝跃,
来源：第十二届计算机工程与工艺全国学术年会(NCCET'08) 年份：2008
本文介绍16位抗辐照加固微处理器及接口电路芯片设计.为实现抗辐照指标要求,设计过程中针对单粒子和总剂量效应进行设计加固,采用PD-SOI工艺加工制造.辐照测试结果表明,芯片...
[会议论文] 作者：邓玉良,李晓辉,裴国旭,杜明,郝跃,张轶强,李律,李萍,李炜,孙博文,胡镭,彭锦军,
来源：第十二届计算机工程与工艺全国学术年会(NCCET08) 年份：2008
本文介绍16位抗辐照加固微处理器及接口电路芯片设计.为实现抗辐照指标要求,设计过程中针对单粒子和总剂量效应进行设计加固,采用PD-SOI工艺加工制造.辐照测试结果表明,芯片抗总剂量能力达到100Krad(Si),单粒子LET翻转阈值达到67MeV-cm2/mg,满足星载计算机系统......
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