0.18 μm SOI器件技术抗SET设计加固方法

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介绍0.18 μm SOI器件技术中SET(single event transient)的原理模型及设计加固方法;并结合工艺具体参数,利用TCAD仿真工具进行了模拟仿真.探讨SET在0.18 μm SOI器件技术中的微观机理.提出0.18 μm SOI工艺SET设计加固方法.重点在于器件和电路级的探讨与加固,尤其是器件物理结构上的SET机理模型及加固设计.
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