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[期刊论文] 作者：江冰松,唐龙谷,,
来源：大功率变流技术 年份：2015
基于形变势理论,分析了应力下硅基半导体的禁带变窄效应和迁移率增强效应。建立了IGBT芯片模型,研究了应力对IGBT电性能的影响,分析了IGBT的应力来源,可为IGBT应力控制提供一...
[期刊论文] 作者：彭新华,潘昭海,江冰松,尚可,,
来源：设备管理与维修 年份：2017
氮化硅工艺的特点以及立式炉各个系统的工作原理。分析氮化硅立式炉颗粒频繁超标的问题,通过设备改造来提升机台颗粒表现,同时总结了近几年的设备使用以及维护经验。...
[期刊论文] 作者：魏宏杰,潘昭海,江冰松,马成爽,朱文彬,,
来源：设备管理与维修 年份：2017
半导体设备中常用静电吸盘的原理，通过在LABVIEW软件中仿真得出设备最佳运行状态下的相关参数。分析单极和双极静电吸盘的模型建立过程，研究Varian810离子注入机的六相静电吸盘...
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