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[期刊论文] 作者：张志国,冯震,武继宾,王勇,蔡树军,杨克武,,
来源：半导体技术 年份：2008
使用国产6H-SiC衬底的GaN HEMT外延材料研制出高工作电压、高输出功率的AlGaN/GaN HEMT。利用ICCAP软件建立器件大信号模型,利用ADS软件仿真优化了双级GaNMMIC,研制出具有通...
[会议论文] 作者：张志国,冯震,武继宾,王勇,胡志富,蔡树军,杨克武,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
本文使用国产SiC衬底,利用MOCVD技术外延GaN HEMT材料,采用注入隔离形式研制出高工作电压,高输出功率的AlGaN/GaN HEMT,选取典型数据利用ICCAP建立了器件的大信号模型。利用ADS软件仿真优化了GaN MMIC,研制出具有通孔结构的GaN MMIC芯片,连续波测试显示,频率为9......
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