搜索筛选:
搜索耗时0.7443秒,为你在为你在102,267,441篇论文里面共找到 7 篇相符的论文内容
类      型:
[期刊论文] 作者:欧秀平, 来源:建材与装饰 年份:2004
新规范《村庄污水处理设施技术规程》的公布与实施,在很大程度上提高了村庄污水处理设计的质量,本文重点论述了村庄污水处理的主要特征,并指出了在村庄污水处理工艺选择方面...
[学位论文] 作者:欧秀平, 来源:华南理工大学 年份:2009
多晶硅薄膜晶体管具有比非晶硅高1~2个数量级的载流子迁移率,并能集成开关元件和驱动电路,在有源矩阵液晶显示等领域中有着广阔的应用前景。   阈值电压是基于阈值电压的分区......
[期刊论文] 作者:姚若河,欧秀平,, 来源:中国集成电路 年份:2006
对数字阵列乘法器的移位加算法、Pezaris算法、Baugh-Wooley算法的性能进行了分析,讨论其各自的特点;指出进一步提高并行快速乘法器性能的研究重点。...
[期刊论文] 作者:姚若河,欧秀平,, 来源:华南理工大学学报(自然科学版) 年份:2010
对低掺杂多晶硅薄膜晶体管的表面势进行分析,将表面势开始偏离亚阈值区、沟道电流迅速增加时所对应的栅压作为晶体管的阂值电压.考虑到多晶硅薄膜的陷阱态密度为单指数分布,通过......
[期刊论文] 作者:姚若河,欧秀平,, 来源:华南理工大学学报(自然科学版) 年份:2010
提出一个多晶硅薄膜晶体管的有效迁移率模型.该模型同时考虑了晶体管沟道内晶粒的数目、载流子在晶粒与晶粒间界处不同的输运特性和栅致迁移率降低效应,适应于从小晶粒到大晶...
[会议论文] 作者:欧秀平,姚若河, 来源:中国电子学会第十四届青年学术年会 年份:2008
基于阈值电压的P-Si TFT分区模型是目前主要的P-Si TFT模型。本文首先对目前基于阈值电压的p-Si TFT模型研究现状进行了分析,在此基础上重点介绍了三种典型的已用于电路仿真器中的SPICE模型:RPI模型、S-TFT模型与I. Pappas模型,对当前的建模工作进行了总结与展望......
[期刊论文] 作者:欧秀平,姚若河,吴为敬,, 来源:微电子学 年份:2008
通过对晶粒间界两侧耗尽区建立准二维模型,研究晶粒间界电荷分享效应对多晶硅薄膜晶体管阈值电压的影响。研究表明,考虑了晶粒间界电荷分享效应的阈值电压将变小,其中晶粒尺寸对......
相关搜索: