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[会议论文] 作者：赵阳,柯导明,
来源：2010(第三届)中国微纳电子技术交流与学术研讨会 年份：2010
本文首先给出了叠栅MOSFET的结构设计，通过理论计算与仿真模拟结果作比较来验证普通NMOS的阈值电压的正确性；在此之后，同样仿真模拟出叠栅MOSFET在不同沟道长度下的阈值电压......
[期刊论文] 作者：J.Ji,柯导明,
来源：电子器件 年份：1990
硅微机械加工制成的多电极记录探头在研究神经系统的信息处理和许多神经修复过程中起着重要作用.探头面积非常小,但可以精确控制.这样的探头不但实现了用最小的组织损伤装入...
[期刊论文] 作者：柯导明,陈军宁,
来源：安徽大学学报：自然科学版 年份：2000
为了控制ＭＯＳＴ的阈值电压和减小ＤＩＢＬ效应，必须对ＭＯＳＴ的沟道进行离子注入，这种非均均掺杂衬底ＭＯＳＴ特性的最常用分析方法是数值模拟，但这咱方法计算量大，不能得到解析模型，不适用于电路模拟设计，本文所......
[期刊论文] 作者：陈军宁,柯导明,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1999
用数值方法与解析方法相结合，导出了非均匀掺杂衬底ＭＯＳＴ阈值电压的解析模型。该模型在形式上类似于ＳＰＩＣＥ程序中的ＭＯＳＴ模型，但是所有参数都用数值方法处理过，因此是一个概念清晰，计算量小的高精......
[期刊论文] 作者：Ji.,J,柯导明,
来源：电子器件 年份：1990
硅微机械加工制成的多电极记录探头在研究神经系统的信息处理和许多神经修复过程中起着重要作用.探头面积非常小,但可以精确控制.这样的探头不但实现了用最小的组织损伤...
[期刊论文] 作者：Foura.,F,柯导明,
来源：电子器件 年份：1990
在高级硅微结构设计中有一个不可缺少的手段全今还未得到开发,这就是用来模拟复杂多层微结构的有限元方法和数据库.本文报道了一种模拟方法和许多例子.这种方法考虑了热...
[期刊论文] 作者：柯导明,陈军宁,
来源：电子学报 年份：2002
本文提出了在LDMOS的高温等效电路，讨论了LDMOS泄漏电流及本征参数在25℃-300℃范围内随温度变化规律，根据本文分析：源漏Pn结的反向泄漏电流决定了LDMOS的高温极限温度，导通电阻...
[会议论文] 作者：陈军宁,柯导明,
来源：中国电子学会电路与系统学会第十六届年会 年份：2001
这篇文章给出了高温CMOS模拟集成电路中MOST沟道宽度的设计规则,并分析了该规则对电路小信号增益和电路直流工作点的影响....
[会议论文] 作者：柯导明,陈军宁,
来源：中国电子学会电路与系统学会第十六届年会 年份：2001
这篇文章证明了在图形、图像数据库中基于模糊集合的检索方法可以实现精确的检索和控制检索范围,达到控制连续语义变化检索的目地,并用模糊对象分层树的方法实现了图形、图像数据库中的模糊检索,最后给出了一个例子.......
[期刊论文] 作者：柯导明,童勤义,
来源：电子学报 年份：1993
本文简化了MOSFET伏安特性的精确公式,得到了一个能反映27℃～300℃硅集成MOSFET=级温度效应的简单方程。并用该方程修正和完善了宽温区,耐高温MOSFET的ZTC模型。把原有公式在...
[期刊论文] 作者：柯导明,童勤义,
来源：微电子学 年份：1990
本文详细介绍了硅器件的高温理论以及制作的进展,分析了MOSFET的高温特性和失效模式,指出了改善MOSFET高温性能和提高上限温度的方法。...
[期刊论文] 作者：柯导明,童勤义,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1993
分析了漏源pn结泄漏电流对高温MOS模拟集成电路中、工作在零温度系数(ZTC点)的MOSFET交流参数的影响。研究结果表明,pn结扩散电流对高温MOSFET的交流性能有极大的影响,而产生...
[期刊论文] 作者：项莉萍,柯导明,,
来源：太原科技大学学报 年份：2008
在分析CMOS低噪声放大器非线性来源的基础上，给出了度量低噪放线性度的重要指标三阶交调点（IP3），并利用Volterra级数作为分析工具研究了CMOS低噪声放大器的三阶交调失真。推导得......
[期刊论文] 作者：柯导明,童勤义,
来源：微电子学 年份：1990
本文详细分析了硅集成电路的高温特性和高温失效模式,指出了CMOS集成电路的高温失效的主要模式是高温闭锁效应。解决这个问题的有效途径之一是研制介质隔离的CMOS IC,例如SOI...
[期刊论文] 作者：韩名君,柯导明,,
来源：电子学报 年份：2015
文章提出将亚阈值区超浅结MOSFET的氧化层和Si衬底划分为三个区域,得到三个区域的定解问题,并用特征函数展开法求出了因边界衔接条件而产生的未知系数,首次得到超浅结亚45nm...
[期刊论文] 作者：项莉萍,柯导明,,
来源：吉首大学学报(自然科学版) 年份：2008
讨论了功率放大器的非线性现象及其对通信系统的影响，运用Volterra级数分析了MESFET功率放大器的非线性失真，并阐述了非线性参数以及源阻抗和负载阻抗对交调失真的影响，为功率放......
[会议论文] 作者：郑智雄,柯导明,
来源：2010(第三届)中国微纳电子技术交流与学术研讨会 年份：2010
随着器件沟道的缩小，垂直方向电场的影响不能忽略，使得阈值电压的计算变为一个复杂的二维问题。本文用半导体表面载流子与电场的作用能建立了载流子的能量积分，然后用直接变......
[期刊论文] 作者：柯导明,童勤义,
来源：微电子学 年份：1990
本文详细分析了硅集成电路的高温特性和高温失效模式,指出了CMOS集成电路的高温失效的主要模式是高温闭锁效应。解决这个问题的有效途径之一是研制介质隔离的CMOS IC,例如SOI...
[期刊论文] 作者：韩名君,赵阳,柯导明,,
来源：安徽大学学报(自然科学版) 年份：2012
研究一种具有部分重叠双栅结构MOSFET器件模型,并将其与类似的分裂双栅结构MOSFET及普通栅结构MOSFET器件进行比较,利用MEDICI软件对该结构进行仿真.通过仿真可知：部分重叠双...
[期刊论文] 作者：陈军宁,柯导明,朱德智,
来源：安徽大学学报(自然科学版) 年份：2002
本文提出了高温、高压LDMOS的等效电路,讨论了LDMOS泄漏电流及其本征参数在高温下随温度变化的规律.根据分析,漏pn结的反向泄漏电流决定了LDMOS的高温极限温度,导通电阻与温...
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