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本文提出了在LDMOS的高温等效电路，讨论了LDMOS泄漏电流及本征参数在25℃-300℃范围内随温度变化规律，根据本文分析：源漏Pn结的反向泄漏电流决定了LDMOS的高温极限温度，导通电阻与温度的关系是（T/T1）^y(y为1.5-2.5)。
高压LDMOS导通电阻的高温特性分析
【摘 要】
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本文提出了在LDMOS的高温等效电路，讨论了LDMOS泄漏电流及本征参数在25℃-300℃范围内随温度变化规律，根据本文分析：源漏Pn结的反向泄漏电流决定了LDMOS的高温极限温度，导通电阻
【机 构】
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安徽大学电子工程系
【出 处】
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电子学报
【发表日期】
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2002年8期
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