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[会议论文] 作者：季红浩;,
来源：第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：1999
为了实现ＣｏＳｉ〈，２〉在深亚微米ＣＭＯＳ器件中的应用，作者对钴硅化物自对准工艺作了深入的研究。该文首先详细阐述了采用Ｃｏ／Ｔｉ／Ｓｉ复合膜结构的两步快速热处理在（１００）硅表面外延生长单晶ＣｏＳｉ〈，２〉薄膜的方法，工艺......
[期刊论文] 作者：徐秋霞,钱鹤,殷华湘,贾林,季红浩,陈宝钦,朱亚江,刘明,
来源：半导体学报 年份：2004
首次在国内成功地制作了栅长为70nm的高性能CMOS器件．为了抑制70nm器件的短沟道效应同时提高它的驱动能力，采用了一些新的关键工艺技术，包括3nm的氮化栅氧化介质，多晶硅双栅电极，......
[期刊论文] 作者：徐秋霞,钱鹤,殷华湘,贾林,季红浩,陈宝钦,朱亚江,刘明,
来源：半导体学报 年份：2004
首次在国内成功地制作了栅长为 70 nm的高性能 CMOS器件 .为了抑制 70 nm器件的短沟道效应同时提高它的驱动能力 ,采用了一些新的关键工艺技术 ,包括 3nm的氮化栅氧化介质 ,...
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