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[会议论文] 作者：关安民,
来源：中国公路学会道路工程学会道路工程施工质量管理学术交流会 年份：1987
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[期刊论文] 作者：关安民,朱南昌,
来源：上海半导体 年份：1993
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[期刊论文] 作者：耿海阳,关安民,
来源：核技术 年份：1989
本文介绍了离子源使用不同放电物质所获得的双电荷态磷离子注入硅的工作。实验结果表明:在600kV离子注入机上利用双电荷态离子得到的1.2MeVP2+注入硅可获得适用于...
[期刊论文] 作者：关安民,李钧,
来源：微细加工技术 年份：1994
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[期刊论文] 作者：夏冠群,关安民,
来源：半导体学报 年份：1989
本文研究了经常规热退火和快速热退火后SIGaAs中S~+注入的电学特性.热退火后,GaAs中注入S~+的快扩散和再分布不决定于S~+或砷空位V_(AS)的扩散而决定于离子注入增强扩散.使用...
[期刊论文] 作者：关安民,李钧,
来源：微细加工技术 年份：1993
本文介绍了一台低能全元素离子注入机。它的能量范围为5～60keV;离子品种是从~1H到~(209)Bi;最低能量5keV的As~+、Se~+等重离子的靶流为2～5μA;注入靶片φ50;注入均匀度σ...
[期刊论文] 作者：关安民,孙义林,
来源：科技通讯（上海船厂） 年份：1989
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[期刊论文] 作者：关安民,罗潮渭,
来源：电子学报 年份：1996
集成电路的发展要求制备出超浅结或超薄有源层，以满足器件高密度和高速度的要求，低能离子注入是形成浅结的最有效手段，本文介绍了低能离子注入硅和ＧａＡｓ衬底中形成０．１ｕｍ以下的硅超浅结和ＧａＡｓ超......
[期刊论文] 作者：孙义林,关安民,
来源：核技术 年份：1986
束流剖面监测仪是监测带电粒子束在传输过程中状态变化的一种装置。该装置的叶片式探针(以下简称探针)安装在粒子加速器、同位素分离器和离子注入机等监测位置上并由它把截获...
[期刊论文] 作者：关安民,孙义林,
来源：核技术 年份：1989
文章报道了820离子源在600kV离子注入机上的应用。已经从820离子源引出了20个以上的离子品种应用于半导体、金属和绝缘体的材料改性研究。还讨论了离子束流污染问题。...
[期刊论文] 作者：关安民,沈鸿烈,
来源：上海微电子技术和应用 年份：1997
本文对３０ｋｅｖ Ｓｉ＾＋和分子离子ＳｉＦ＾＋注入半绝缘ＧａＡｓ的行为进行了研究对比。注入Ｓｉ＾２＋样品的Ｓｉ原子纵向分布与相同条件下用ＳＩＣＴ模拟程序理论计算出的分布相一致。经灯光９００℃１０″ＲＴＡ，电激活率可达６０％，电化学Ｃ－Ｖ测得的载流子纵......
[会议论文] 作者：关安民,罗潮渭,
来源：第六届电子束离子束学术年会 年份：1995
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[会议论文] 作者：关安民,顾嘉辉,
来源：97全国荷电粒子源粒子束学术会议 年份：1997
整体靶离子源是在线同位素分离器的一个关键部件，文章描述如何简单地把标准Ｎｉｅｌｓｅｎ源改建成在线离子源，并对它的一些性能进行测试，与标准离子源作了比较，讨论了它们的差别和产生原因。实......
[期刊论文] 作者：林成鲁,关安民,耿海阳,
来源：核技术 年份：1988
利用能量为5—20keV、剂量为5×1014—5×1015cm-2的BF+2和As+注入硅中,以快速热退火激活杂质并控制杂质的扩散再分布,可以得到结深～100nm、薄层电阻～60Ω/口的突变p+-n和n+-P...
[会议论文] 作者：关安民,陈京一,朱南昌,
来源：第六届全国电子束离子束光子束学术年会 年份：1991
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[会议论文] 作者：黄克铃,关安民,任晋成,
来源：中国电工技术学会第四届电子束离子束学术年会第二届电子束焊接学术年会 年份：1991
国内引进了不少离子注入机，维修问题日渐重要，对其损坏部件，用国产配件进行替换，不乏为又快又省的维修方法。该文叙述了九年多来，作者在维修ＩＭ－２００Ｍ型离子注入机的实践中，对损坏的吸极电源......
[期刊论文] 作者：夏冠群,关安民,耿海阳,王渭源,
来源：半导体学报 年份：1989
本文研究了经常规热退火和快速热退火后SIGaAs中S+注入的电学特性.热退火后,GaAs中注入S+的快扩散和再分布不决定于S+或砷空位VAS的扩散而决定于离子注入增强扩散.使用快速热...
[会议论文] 作者：蒋新元,赵崎华,关安民,
来源：1988年中国物理学会第四次全国粒子加速器学术年会 年份：1988
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[期刊论文] 作者：关安民,李钧,石华君,罗潮渭,夏冠群,
来源：微细加工技术 年份：1993
本文介绍了一台低能全元素离子注入机。它的能量范围为5～60keV;离子品种是从~1H到~(209)Bi;最低能量5keV的As~+、Se~+等重离子的靶流为2～5μA;注入靶片φ50;注入均匀度σ...
[期刊论文] 作者：关安民,孙义林,耿海阳,李钧,蒋新元,
来源：核技术 年份：1989
文章报道了820离子源在600kV离子注入机上的应用。已经从820离子源引出了20个以上的离子品种应用于半导体、金属和绝缘体的材料改性研究。还讨论了离子束流污染问题。The a...
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