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本文研究了经常规热退火和快速热退火后SIGaAs中S+注入的电学特性.热退火后,GaAs中注入S+的快扩散和再分布不决定于S+或砷空位VAS的扩散而决定于离子注入增强扩散.使用快速热退火方法能抑制注入S+在GaAs中的增强扩散,明显减小S+的再分布,可以获得适合于制造GaAs MESFET器件的薄有源层.