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[期刊论文] 作者：佟丽英,
来源：农家科技 年份：2015
1.选用良种培育壮苗。选用低温条件下开花多、花粉量大、果实大而整齐，着色好、酸味淡，畸形果少的优良品种，如丰香、明宝等，以及丽红、春香、宝交早生等早中熟良种。这些品种休眠期短、春化条件易满足，给予一些外界因素打破其休眠，可以达到早花早果的目的。秋香、宝交......
[期刊论文] 作者：佟丽英,,
来源：民营科技 年份：2012
造价控制管理是企业的命脉,近年来,施工企业在造价控制管理的方法和手段上花费了很大的精力,取得了很大的进步,但还存在着诸多不足,现以建筑工程为切入点,就目前建筑施工企业...
[期刊论文] 作者：高丹,佟丽英,,
来源：电子工艺技术 年份：2014
采用LPCVD工艺对硅片背封SiO2薄膜,可以有效地防止外延工序中的自掺杂效应,消除杂质对外延工艺的不利影响.但是当背封好的硅片经抛光放置后,抛光面有亮点,并且随着时间的推移...
[期刊论文] 作者：刘伟伟,佟丽英,,
来源：电子工业专用设备 年份：2016
通过采用不同的腐蚀液对磷化铟晶片进行腐蚀,使磷化铟晶片的各种缺陷能够清晰的显示并加以区别。在位错密度的测试过程中,综合了位错密度的计数方法,较真实地反映了磷化铟单...
[期刊论文] 作者：高丹,佟丽英,,
来源：电子工艺技术 年份：2016
背封工艺是外延衬底材料制备的关键工艺之一,由于硅片背面边缘沉积的Si O2膜,在外延工艺中造成外延片边缘多晶颗粒沉积及应力集中,因此越来越多的外延厂家要求对背封片Si O2...
[期刊论文] 作者：佟丽英,高丹,,
来源：合肥工业大学学报(自然科学版) 年份：2016
直拉硅单晶抛光片经过高温氧化后,腐蚀显示出氧化诱生缺陷,包括漩涡缺陷和氧化层错(oxidation induced stacking faults,OISF),其形状和分布与单晶生长过程中形成的微缺陷有...
[期刊论文] 作者：张宝印,佟丽英,
来源：铁道通信信号 年份：2003
在调试HYZ24-2型会议电话总机时,出现主会场音箱无规律地话音堵塞,即"卡音"故障,而会议电话分机工作正常.下面是对该问题的原因分析和处理方法,供大家参考....
[会议论文] 作者：佟丽英;王聪;,
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
微机电系统MEMS(MicroElectroMechanicalSystem)是将微电子技术与传统的传感器技术相结合产生的,它是具有微传感器、微处理器、微执行器等智能的微型机械系统,将有广泛的使用...
[期刊论文] 作者：刘春香,佟丽英,,
来源：半导体技术 年份：2009
给出了一种掺硼p^＋-Si外延层厚度的测试方法。该方法是根据Si在KOH溶液中呈现的腐蚀特性而衍生出来的。Si在KOH溶液中的腐蚀速率与Si的掺杂浓度有关,当掺杂浓度超过5×10^...
[期刊论文] 作者：石雅珍,佟丽英,
来源：工业计量 年份：2010
文章对晶片电阻率测试系统的原理、结构及计量特性进行了阐述,给出了校准晶片电阻率测试系统的方法,并对本系统测量结果不确定度进行了评定。...
[会议论文] 作者：佟丽英,田凤彬,
来源：第九届中国标准化论坛 年份：2012
建立和实施企业职业健康安全管理体系是企业提高安全管理水平的重要途径。本文重点介绍了企业目前运行职业健康安全管理体系存在的主要问题，并提出了推进体系持续有效运行......
[会议论文] 作者：田凤彬,佟丽英,
来源：中国标准化协会 年份：2012
建立和完善企业标准体系是企业标准化一项重要的基础工作。本文重点介绍了企业建立标准体系的四阶段：标准体系策划准备阶段、标准体系文件化阶段、标准体系实施与监督阶段、标准体系的评价、确认和改进阶段，并提出了有效的解决方案。......
[期刊论文] 作者：刘锋,纪秀峰,佟丽英,
来源：半导体情报 年份：2001
概述了硅太阳电池和硅单晶在空间高能粒子辐射下性能的变化及采用掺锡、掺锂提高太阳电池用硅单晶抗辐射性能的原理和方法....
[期刊论文] 作者：潘晖,佟丽英,曹全喜,
来源：电子元件与材料 年份：2002
讨论了SiC晶体升华法生长机理.从SiC晶体生长过程中的化学反应,热传输,物质传输以及缺陷的形成等方面进行了探讨.分析了化学计量比和保护气体压力对SiC单晶生长及其缺陷形成...
[期刊论文] 作者：张继荣,史继祥,佟丽英,
来源：半导体技术 年份：2005
对CZ(直拉法)和FZ(区熔法)硅单晶进行了一定剂量的γ辐照实验,并将辐照前后的电学参数变化进行了对比.结果表明,在实验中所用剂量的γ辐照,对CZ和FZ硅单晶电阻率影响不大而对...
[期刊论文] 作者：潘晖,佟丽英,曹全喜,
来源：电子元件与材料 年份：2002
讨论了SiC晶体升华法生长机理。从SiC晶体生长过程中的化学反应,热传输,物质传输以及缺陷的形成等方面进行了探讨。分析了化学计量比和保护气体压力对SiC单晶生长及其缺陷形...
[期刊论文] 作者：张继荣,薛佳伟,佟丽英,
来源：半导体技术 年份：2005
CZ硅单晶受中子辐照,产生辐照缺陷,使其电阻率相对于其原始值有一定的偏差,经氮气气氛、650～700℃热处理,其电阻率可以基本恢复原始值....
[会议论文] 作者：佟丽英,史继祥,王聪,
来源：第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：1999
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[期刊论文] 作者：郑风振,佟丽英,石雅珍,,
来源：工业计量 年份：2011
文章介绍了高频光电导少子寿命测试仪的原理、结构以及计量特性,并给出高频光电导少子寿命测试仪的校准方法,同时对测量结果的不确定度进行了评定。...
[期刊论文] 作者：云娜,康洪亮,高丹,佟丽英,
来源：电子工业专用设备 年份：2020
简单介绍常压化学气相沉积法(APCVD)制备氧化硅薄膜的基本原理和工艺。通过调整不同的沉积温度、硅烷流量、稀释氮气流量、分离氮气流量、皮带带速等工艺参数,对所沉积的氧化...
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