γ辐照对硅单晶电学参数的影响

来源 :半导体技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：adroithy

【摘要】

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对CZ(直拉法)和FZ(区熔法)硅单晶进行了一定剂量的γ辐照实验,并将辐照前后的电学参数变化进行了对比.结果表明,在实验中所用剂量的γ辐照,对CZ和FZ硅单晶电阻率影响不大而对

【作者】

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【机构】

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中国电子科技集团公司第四十六研究所

【出处】

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半导体技术

【发表日期】

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2005年5期

【关键词】

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对CZ(直拉法)和FZ(区熔法)硅单晶进行了一定剂量的γ辐照实验,并将辐照前后的电学参数变化进行了对比.结果表明,在实验中所用剂量的γ辐照,对CZ和FZ硅单晶电阻率影响不大而对其少子寿命影响很大.

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