短波长OEIC光接收机前端设计及制作

来源 :微电子学 | 被引量 : 0次 | 上传用户：cjbin1688

【摘要】

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基于国内的材料和工艺技术，研制出850nm单片集成光接收机前端，集成形式包括PIN／TIA、PIN／DA、MSM／TIA和MSM／DA等。对光探测器和电路分别进行了研究和优化。通过Silvaco软件，建立了探

【作者】

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范超陈堂胜陈辰焦世龙陈镇龙刘霖王昱琳叶玉堂

【机构】

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电子科技大学光电信息学院,单片集成电路与模块国家级重点实验室

【出处】

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微电子学

【发表日期】

：

2008年5期

【关键词】

：

光电集成电路光接收机前端 PIN 金属-半导体-金属跨阻放大器分布参数放大器 Optoelectronic IC Optical receiver fr

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基于国内的材料和工艺技术，研制出850nm单片集成光接收机前端，集成形式包括PIN／TIA、PIN／DA、MSM／TIA和MSM／DA等。对光探测器和电路分别进行了研究和优化。通过Silvaco软件，建立了探测器器件模型，并通过实验数据验证。分布放大器-3dB带宽接近20GHz，跨阻增益约46dBΩ，输入、输出驻波比均小于2，噪声系数在3．03～6．5dB之间。跨阻前置放大器-3dB带宽接近10GHz，跨阻增益约43dBΩ，输入、输出驻波比均小于3．5，噪声系数在4～6．5dB之间。集成芯片最高工作速率达

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