激光诱导单层纳米硅结构的形成及其发光特性

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：allskyy

【摘要】

：

结合激光退火与常规热退火方法对超薄非晶硅层作用,在绝缘衬底上获得了高密度的、均匀的单层纳米硅结构.所得样品通过原子力显微镜、透射电子显微镜和Raman散射谱进行表征,证

【作者】

：

岑展鸿徐骏李鑫李伟陈三刘艳松黄信凡陈坤基

【机构】

：

南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2006年6期

【关键词】

：

纳米硅激光晶化光致发光 nanocrytalline Si laser crystallization photoluminescence

下载到本地 , 更方便阅读

下载此文赞助VIP

声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架

论文部分内容阅读

结合激光退火与常规热退火方法对超薄非晶硅层作用,在绝缘衬底上获得了高密度的、均匀的单层纳米硅结构.所得样品通过原子力显微镜、透射电子显微镜和Raman散射谱进行表征,证实了晶化过程的发生和纳米硅晶粒的形成.在得到的5nm厚晶化样品中观察到在660nm左右范围内光致发光峰,初步的分析表明其发光与纳米硅晶粒的形成有关.

其他文献

X波段高输出功率凹栅AlGaN/GaN HEMT

使用自主研制的SiC衬底GaNHEMT外延材料，研制出高输出功率A1GaN／GaNHEMT，优化了器件研制工艺，比接触电阻率小于1．0×10^-6Ω·cm^2，电流崩塌参量小于10％，击穿电压大于80V．小栅

期刊

A1GAN/GANHEMT高输出功率内匹配器件AIGaN/GaN HEMT high output power density internally

N＋注入硅中氮-空位复合体的红外光谱

利用离子注入以100和180keV的能量和5×10^15cm^-2的剂量向单晶硅片双面注入氮杂质,然后进行不同温度的快速热处理（RTP）.利用傅里叶红外（FTIR）光谱研究不同温度RTP处理后的注

期刊

硅N离子注入红外吸收光谱氮-空位复合体silicon N^＋ implantation infrared spectroscopy N-V com

页岩废渣替代粘土烧制水泥熟料

研究利用抚顺页岩废渣替代粘土烧制水泥熟料,选择11组配比方案进行试验;结果表明,三率值KH在0.9±0.1、硅率SM在2.4±0.1、铝率IM在1.58±0.1时适合抚顺页岩废渣

期刊

油页岩废渣三率值硅率铝率水泥烧结温度

碎煤加压气化工艺煤制天然气粗煤气含尘量控制

对碎煤加压制天然气工艺粗煤气中含尘量较大的原因进行了分析;并从原料转运、炉前控制、炉内控制、炉后控制等方面对粗煤气含尘量的控制提出了具体建议。

期刊

煤气化煤制天然气碎煤加压气化工艺粗煤气含尘量控制

国产高效GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的低能质子辐射效应

运用2×1.7MV串列静电加速器提供的质子束，对MOCVD方法制备的GaInP/GaAs/Ge三结电池进行低能质子辐射效应研究.选质子能量为0.28，0.62和2.80MeV，辐照注量为1×10^10，1&#2

期刊

GaInP/GaAs/Ge太阳电池质子辐照光谱响应GaInP/GaAs/Ge solar cell proton irradiation spectr

激光诱导单层纳米硅结构的形成及其发光特性

其他学术论文