【摘 要】
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报道了一种新的ZnGeP2晶体择优腐蚀剂及其腐蚀工艺,即先采用研磨、物理机械抛光和HCl＋HNO3热化学抛光获得表面平整无划痕的ZnGeP2晶片,然后将晶片在室温下采用HF（40%）∶HNO3（65%）
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报道了一种新的ZnGeP2晶体择优腐蚀剂及其腐蚀工艺,即先采用研磨、物理机械抛光和HCl＋HNO3热化学抛光获得表面平整无划痕的ZnGeP2晶片,然后将晶片在室温下采用HF（40%）∶HNO3（65%）∶CH3COOH（99.5%）∶H2O∶I2=2 mL∶2 mL∶1 mL∶1 mL∶4 mg腐蚀剂超声振荡腐蚀8 min;在扫描电镜下观察到ZGP（110）和（204）晶面的腐蚀坑,蚀坑形貌清晰,具有立体感,（110）晶面蚀坑呈四边形,（204）晶面蚀坑呈五边形,取向一致,蚀坑密度（EPD）约为104/c
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