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利用真空蒸发的方法制备ZnSe多晶薄膜，并采用双源法对薄膜进行了稀土元素Nd的掺杂。对薄膜进行了XRD测试，并计算了薄膜的晶粒尺寸、品格常数以及内应力。结果表明，当原子配比Zn：Se=0．9：1时可制备较理想的ZnSe多晶薄膜，稀土Nd掺杂并未改变样品的物相结构，掺杂使得薄膜的晶粒尺寸减小，晶胞体积增加，内应力和品格常数改变。实验还发现，适度的轻掺杂Nd可增加ZnSe薄膜的光透射性。