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介绍了一种采用SMIC 0.18μm RFCMOS工艺,设计了一种应用于2.4 GHz无线传感器网络SoC芯片的射频发射机上混频器模块电路单元,其中转换增益为-6.3 dB,输入1 dB压缩点为-4.6 dBm。工作电压为1.8 V,功耗为5.4 mW,工作频率范围为2.4~2.483 5 GHz,工作温度范围为-20~＋80℃低功耗的上混频器。上混频器芯片的面积为0.56 mm2。