【摘 要】
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本文描述一种电解液为KOH水溶液的阳极腐蚀法.通过与一些有效的缺陷显示化学腐蚀剂对照,证实此法能显示N~+-GaAs任何取向平面的生长条纹、位错和碟形坑等多种缺陷.这些碟形坑
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本文描述一种电解液为KOH水溶液的阳极腐蚀法.通过与一些有效的缺陷显示化学腐蚀剂对照,证实此法能显示N~+-GaAs任何取向平面的生长条纹、位错和碟形坑等多种缺陷.这些碟形坑可能与存在于晶体中的层错环有关系.
This paper describes an anodic etching method using an aqueous KOH solution as an electrolyte and confirms that this method can show growth stripes, dislocations and dishings in any orientation plane of N ~ + -GaAs by contrasting some effective defects with chemical etchants These defects may be related to the stacking fault existing in the crystal.
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