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在实验中观察到纳米线金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET）室温下出现I-V高电流似单电子库仑阻塞特性。分析了这一现象产生的机理，提出了似单电子库仑阻塞模型，认为纳米线晶体中的结构发生变化，造成特殊的“岛”，电子在耦合机制的作用下，形成类似的库伯电子对，在“岛”上实现似单电子隧穿。这时，库仑阻塞效应的机制由单电子变成成对的多电子，这可造成充电能增大，在室温下隧穿。由于耦合电子对的出现，随栅压加大，使电子隧穿时，既可