动态随机存储器IC芯片制造技术的进展与展望

来源 :半导体技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：endest

【摘要】

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介绍了DRAM 0.1μm特征尺寸理论极限的突破及相关技术进展,以及各种非易失性随机存储器(NVRAM)如FeRAM,相变RAM,MRAM.现今PC中的RAM很快将被NVRAM所取代,从而可缩短PC的启动

【作者】

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【机构】

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河北工业大学

【出处】

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半导体技术

【发表日期】

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2002年12期

【关键词】

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介绍了DRAM 0.1μm特征尺寸理论极限的突破及相关技术进展,以及各种非易失性随机存储器(NVRAM)如FeRAM,相变RAM,MRAM.现今PC中的RAM很快将被NVRAM所取代,从而可缩短PC的启动时间.

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