【摘 要】
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To handle the thermal budget in SiGe BiCMOS process, a non-selective graphic epitaxial tech- nology using molecular beam epitaxial (MBE) has been developed. SEM
【出 处】
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Journal of Electronic Science and Technology of China
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To handle the thermal budget in SiGe BiCMOS process, a non-selective graphic epitaxial tech- nology using molecular beam epitaxial (MBE) has been developed. SEM, AFM, XRD, and dislocation density measurements are carried out. The SiGe film’s RMS roughness is 0.45nm, and dislocation density is 0.3×103cm-2~1.2×103cm-2. No dislocation accumulation exists on the boundary of the windows; this indicates the high quality of the SiGe film. The experiment results show that the technology presented in this paper meets the fabrication requirements of SiGe BiCMOS.
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