【摘 要】
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研究了 Sn、Si和C元素掺杂对低Mn含量MnAl合金的相结构和磁性能的影响.结果表明:Sn元素的掺杂比Si元素的掺杂更容易稳定磁性τ相.C、Sn和C、Si双元素均比单元素掺杂有利于稳
【机 构】
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杭州电子科技大学材料与环境工程学院,浙江杭州 310018
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研究了 Sn、Si和C元素掺杂对低Mn含量MnAl合金的相结构和磁性能的影响.结果表明:Sn元素的掺杂比Si元素的掺杂更容易稳定磁性τ相.C、Sn和C、Si双元素均比单元素掺杂有利于稳定磁性相.随着Mn含量的增加,1100℃热处理后,MnAl合金相结构中出现少量高温ε相,后续再进行500℃热处理,ε相转变成磁性τ相.在Mn50Al47Sn3样品中得到了 131.8 emu/g的最大饱和磁化强度,在Mn50Al46Si4C3样品中获得1.63 kOe的最大矫顽力.
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