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在分子束外延系统中，利用3nm GaAs薄盖层将InAs自组装量子点部分覆盖，然后在500℃以及As2气氛中退火一分钟，制成纳米尺度的InAs量子环。这一形成敏感地依赖于退火时的生长条件和生长InAs自组装量子点时的淀积量。InAs在GaAs表面的扩散以及同时发生的In—Ga互混控制着InAs量子环的形成。