多层金属-n型4H-SiC的欧姆接触

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zdjige

【摘要】

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研究了热退火条件下Au／Ti／Ni-4H-SiC欧姆接触形成机制，通过950℃下的快速热退火形成的最低欧姆接触电阻为2．765×10^-6n·cm^2，SIMS分析表明退火过程中NiSi化合物的形成会

【作者】

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韩茹杨银堂王平崔占东李亮

【机构】

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西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,中国电子科技集团公司第13研究所

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

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2007年2期

【关键词】

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碳化硅欧姆接触碳空位界面能带结构 silicon carbide ohmic contact carbon vacancy interface ba

【基金项目】

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教育部重点科技项目（批准号：02074）和国家部委预研计划（批准号,41308060105）资助项目

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研究了热退火条件下Au／Ti／Ni-4H-SiC欧姆接触形成机制，通过950℃下的快速热退火形成的最低欧姆接触电阻为2．765×10^-6n·cm^2，SIMS分析表明退火过程中NiSi化合物的形成会带来SiC内部多余C原子的溢出，并在接触面上与Ti形成间隙化合物TiC．这一过程造成接触表面存在由大量C空位形成的缺陷层从而增强了表面间接隧穿．通过界面能带结构图直观地解释了欧姆接触在热退火条件下的形成机制．

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