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用透射电子显微镜（TEM）和x射线双晶衍射仪（DCXRD）对在Si（111）衬底上生长的InGaN／GaN多量子阱（MQW）LED外延材料的微结构进行了观察和分析．从TEM高分辨像观察到，在Si和AIN界面处未形成SixN,非晶层，在GaN／A1N界面附近的GaN上有堆垛层错存在，多量子阱的阱（InGaN）和垒（GaN）界面明锐、厚度均匀；TEM和DCXRD进一步分析表明MOW附近n型Gabl的位错密度为10^8cmó-2量级，其中多数为b=1／3〈1120〉的刃位错．