【摘 要】
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采用增强型GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计了一款具有超低噪声系数、低功耗的放大器芯片.采用电流复用型共源结构,源极加入负反馈电感,输入级采用低损耗的片外
【机 构】
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河北新华北集成电路有限公司,石家庄050200中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051;
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采用增强型GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计了一款具有超低噪声系数、低功耗的放大器芯片.采用电流复用型共源结构,源极加入负反馈电感,输入级采用低损耗的片外匹配结构,降低了噪声系数,提高了增益.采用有源偏置电路,提高了芯片电流一致性.设计过程中对封装管壳、键合丝等建模仿真,增益、噪声等测试结果与仿真结果基本一致.该芯片采用4.0 mm×4.0 mm×0.8 mm扁平无引线封装,芯片直流功耗仅为36 mW,在卫星导航工作频段内增益大于30 dB,噪声系数小于0.55 dB.该芯片具有噪声性能好、功耗低、增益高等优点,可以用于各类GPS和卫星导航终端.
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