【摘 要】
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介绍了氧化铟锡 (ITO)薄膜的光学和电学性质及应用。优化的ITO薄膜有立方铁锰矿结构。掺杂的Sn替代In2 O3 晶格上的In原子 ,每个Sn原子可以看作给导带提供一个自由电子。ITO
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介绍了氧化铟锡 (ITO)薄膜的光学和电学性质及应用。优化的ITO薄膜有立方铁锰矿结构。掺杂的Sn替代In2 O3 晶格上的In原子 ,每个Sn原子可以看作给导带提供一个自由电子。ITO薄膜载流子浓度为～ 10 2 0 cm-3 ,电阻率为～ 10 -4Ωcm ,是高度简并半导体 ,其能带为抛物线型结构。由于Burstein -Moss效应 ,光学能隙加宽。除了紫外带间吸收和远红外的声子吸收 ,Drude理论与ITO的介电常数实际值符合得很好 ,说明自由电子对ITO薄膜的光学性质有决定性作用。由于ITO薄膜优异的光学和电学特性使它日益获得广泛应用
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