【摘 要】
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Long-lasting constant loading commonly exists in silicon-based microelectronic con-tact,as well as the chemical mechanical polishing area.In this work,the stress relaxation analysis of single crystal silicon coated with an amorphous SiO2 film is performed
【机 构】
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State Key Laboratory for Mechanical Behavior of Materials,Xi’an Jiaotong University,Xi’an 710049,Chi
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Long-lasting constant loading commonly exists in silicon-based microelectronic con-tact,as well as the chemical mechanical polishing area.In this work,the stress relaxation analysis of single crystal silicon coated with an amorphous SiO2 film is performed by varying the max-imum indentation depth using molecular dynamics simulation.It is found that during holding,the applied indentation force declines sharply at the beginning and then steadily towards the end of the holding period.The stress relaxation amount of bilayer composites increases as the maximum indentation depth increases.It is also found that the deformation features of SiO2 film and silicon substrate during holding are inherited from the loading process.The SiO2 film during holding is further densified when the maximum indentation depth is equal to or less than a certain value(5.5 nm for the 0.8-nm film).The amount of generated phases and phase distribu-tions of silicon substrate during holding are affected by the plastic deformation of silicon during loading.
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