传统的ABC模型主要用于研究InGaN量子阱中载流子的复合动态过程。使用传统的ABC模型计算载流子的复合速率和复合寿命，研究不同发光波长InGaN基LED的3 dB调制带宽与载流子复合机制的关系。计算分析结果表明，在相同的注入电流下，随着有效有源区厚度和量子阱层厚度的减小，400 nm近紫外、455 nm蓝光以及525 nm绿光三种发光波长LED的3 dB调制带宽均明显增大；在100 A/cm²的注入电流密度下，400，455，525 nm三种发光波长LED的3 dB调制带宽分别为62，88，376 MHz；在相同的电流密度下，LED的3 dB调制带宽随着In组分（In元素的原子数分数占In元素与Ga元素的原子数分数总和的比）的增加而增大；由于525 nm波长LED的In组分高，有效有源区厚度薄，所以源区载流子浓度高，在大电流密度下525 nm绿光LED的3 dB调制带宽达到376 MHz。