【摘 要】
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据《电子世界》2009年9月月刊报道,Vishay Intertechnology,Inc宣布推出具有业内最低导通电阻的新款N沟道MOSFET器件SiR494DP,将该系列的第三代TrenchFET功率MOSFET的电压降
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据《电子世界》2009年9月月刊报道,Vishay Intertechnology,Inc宣布推出具有业内最低导通电阻的新款N沟道MOSFET器件SiR494DP,将该系列的第三代TrenchFET功率MOSFET的电压降至12V,同时该器件的导通电阻与栅电荷的乘积也是这种额定电压的器件当中最低的。额定电压12V的SiR494DP
Vishay Intertechnology, Inc. announced the SiR494DP, the new N-channel MOSFET device with the industry’s lowest ON-resistance, reducing the voltage of the third-generation TrenchFET power MOSFETs to 12V in this series, according to the September 2009 issue of Electronic World. The product of on-resistance and gate charge is also the lowest of these devices rated for voltage. Rated voltage 12V SiR494DP
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