【摘 要】
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用非真空法制备Cu(in_xGa_(1-x))Se_2(CIGS)薄膜,首先以Cu,In,Ga,Se单质为原料用溶解热法制备出CIGS粒子,加入溶剂和助剂后形成墨水,用旋涂法在玻璃基底上制备薄膜。对薄膜的
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用非真空法制备Cu(in_xGa_(1-x))Se_2(CIGS)薄膜,首先以Cu,In,Ga,Se单质为原料用溶解热法制备出CIGS粒子,加入溶剂和助剂后形成墨水,用旋涂法在玻璃基底上制备薄膜。对薄膜的结构、形貌、成分进行表征,由于前躯体粒子成分直接转移到CIGS薄膜中,制备的薄膜成分可控。并对薄膜的光学和电学性能进行研究。
Firstly, Cu (In_xGa_ (1-x)) Se_2 (CIGS) thin films were prepared by non-vacuum method. Firstly, CIGS particles were prepared by the solvothermal method using Cu, In, Ga and Se as raw materials. Thin films were prepared on glass substrates by spin coating. The structure, morphology and composition of the films were characterized. Because the precursor particles were directly transferred into the CIGS films, the composition of the films was controlled. The optical and electrical properties of the films were also investigated.
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