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本文概述第24届国际功率半导体器件与功率集成电路会议（ISPSD12）上发表的主要技术成果和进展。主要内容有：全体会场上的三篇特邀综述、高压技术（包括先进的高压开关、器件坚固性和先进的高压二极管）、宽禁带器件（包括GaN器件和SiC器件）、集成功率（包括集成功率技术与应用）、封装与系统集成、低压技术（包括低压器件、可靠性物理和先进转换器）等几个方面。