射频PECVD高速沉积微晶硅薄膜

来源 :真空科学与技术学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:grandbill
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本文采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术高速沉积微晶硅薄膜。系统研究了射频功率、气体总流量、沉积气压、硅烷浓度等沉积参数对薄膜沉积速率和晶化率的影响。通过沉积参数的优化,使微晶硅薄膜沉积速率达到了3A/s左右。
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