面阵电荷耦合器件的辐射性能函数

来源 :激光与光电子学进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:jwyzfh
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电荷耦合器件(CCD)作为一个将光学图像转换到电子学图像的传感器,其成像质量与辐射响应参数的性能直接相关。针对面阵CCD 越来越广泛的应用,提出利用“辐射响应矩阵”的概念和评价方法,表述面阵CCD 每个像元的辐射性能参数。分析该矩阵,明确矩阵各元素的物理意义,并将面阵CCD 每个像元的绝对辐射响应度、响应非线性度、暗噪声、信噪比以及非均匀性的数学关系与其物理含义一一对应。对面阵CCD DALSA-FTF6080M 进行辐射性能检测,并利用辐射响应矩阵计算出各像元的响应系数。以测试结果为例,讨论和描述该矩阵的应用结果。实验结果表明:使用辐射响应矩阵可以计算出面阵CCD 非均匀性为3.1%,该CCD 近似成线性响应,暗噪声为3.84。此方法实用,满足对面阵CCD 的客观评价。
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