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逆导型GCT关键参数的设计考虑
逆导型GCT关键参数的设计考虑
来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:panfeng123456
【摘 要】
:
提出了逆导型门极换流晶闸管(RC—GCT)中几个关键参数,如n^-基区和透明阳极的厚度和浓度及隔离区的宽度等参数的设计方法.根据该设计方法建立了RC—GCT的结构模型,利用MEDICI模
【作 者】
:
王彩琳
高勇
【机 构】
:
西安理工大学电子工程系
【出 处】
:
半导体学报
【发表日期】
:
2004年10期
【关键词】
:
电力半导体器件
逆导型门极换流晶闸管
透明阳极
隔离区
power semiconductor device reverse con ducting gate
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提出了逆导型门极换流晶闸管(RC—GCT)中几个关键参数,如n^-基区和透明阳极的厚度和浓度及隔离区的宽度等参数的设计方法.根据该设计方法建立了RC—GCT的结构模型,利用MEDICI模拟器对其正向阻断特性、导通特性及门-阴极的反向特性进行了模拟分析,结果证明这些设计考虑是合理的.
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