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第三代半导体材料是提升新一代信息技术核心竞争力的重要支撑,以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体材料,因具备禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速率高、抗辐射能力强等优越性能,是固态光源和电力电子、微波射频器件的“核芯”,在半导体照明、新一代移动通信、能源互联网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域有广阔的应用前景.近日,科技部高新司在北京组织专家组对“十二五”国家863计划新材料技术领域“高质量第三代半导体材料关键技术”主题项目进行了验收.