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采用电镀的方法在制备了尺寸小于100gm的Sn-3．0Ag凸点，研究了多次回流和时效过程下SnAg／Cu界面IMC的生长、孔洞的生长机理和分布以及影响因素。结果表明，回流过程中孔洞形成的主要原因是相变过程发生的体积缩减，而时效过程中孔洞形成的主要原因是柯肯达尔效应。时效过程中Cu3Sn（ε相）中孔洞的生长及分布受初始形成的Cu6Sn5（η相）影响。厚η相及η晶界处形成的孔洞促进8相中孔洞的生长。平直的ε相／Cu界面以及ε相层内孔洞的连接对凸点的长期可靠性构成威胁。