【摘 要】
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本文描述了使用 Be 离子注入和湿化学腐蚀法制作 lnGaAs 亚微米栅JFET 的工艺过程。用这种工艺可以形成小至0.5μm 的栅长。在分子束外延(MBE)生长的材料上制作的这种 FET 的
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本文描述了使用 Be 离子注入和湿化学腐蚀法制作 lnGaAs 亚微米栅JFET 的工艺过程。用这种工艺可以形成小至0.5μm 的栅长。在分子束外延(MBE)生长的材料上制作的这种 FET 的直流跨导高达85mS/mm,并且其功率使用容量大。
This article describes the use of Be ion implantation and wet chemical etching process lnGaAs sub-micron gate JFET process. With this process it is possible to form gate lengths as small as 0.5 μm. This FET fabricated on molecular beam epitaxy (MBE) grows up to 85 mS / mm DC transconductance and has a large power usage capacity.
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