ZnS／CdS／ZnS量子点量子阱的荧光衰减

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【摘要】

：

采用反胶束方法制备了ZnS/CdS/ZnS量子点量子阱,并对其光谱性质进行了研究.结果表明所制得的量子点量子阱尺寸分布均匀,平均粒径为4.5nm,发光峰位于515rm左右,归属于CdS体内

【作者】

：

曹立新黄世华

【机构】

：

中国科学院激发态物理开放研究实验室

【出处】

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发光学报

【发表日期】

：

2002年1期

【关键词】

：

量子点量子阱 ZNS CdS 发光半导体荧光衰减硫化锌硫化镉光谱性质 quantum dot quantum well ZnS CdS lum

【基金项目】

：

国家重点基础研究发展计划(973计划)，国家自然科学基金

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采用反胶束方法制备了ZnS/CdS/ZnS量子点量子阱,并对其光谱性质进行了研究.结果表明所制得的量子点量子阱尺寸分布均匀,平均粒径为4.5nm,发光峰位于515rm左右,归属于CdS体内的施主-受主对复合.ZnS/CdS/ZnS量子点量子阱中CdS的发光比核-壳结构的ZnS/CdS量子点增强了近四倍,荧光寿命也有所增长.

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